Der Schlüssel zu Elektrofahrzeugen mit gro?er Reichweite: Opto-SiC-MOSFET-Relais, angewendet auf BMS
Das Batteriemanagementsystem ist eine entscheidende Technologie zur Verwaltung ganzer Batteriepakete in Elektrofahrzeugen. Diese Akkupacks bestehen aus vielen Akkuzellen. Die von einem BMS bereitgestellte überwachung umfasst die Isolationsüberwachung und -erkennung, die Meldung des Betriebsstatus und die kontinuierliche Optimierung der Batterieleistung durch Ausgleich der verbleibenden Leistung jeder Zelle. Opto-MOSFET-Relais (auch bekannt als Solid-State-Relais) k?nnen für alle drei Funktionen eingesetzt werden. In diesem Artikel geht es um die neu eingeführten Opto-SiC-MOSFET-Relais von Bright Toward und ihre Rolle bei der Isolationserkennung von BMS.
Was ist BMS (Batteriemanagementsystem)?
Schaltplan zur Isolationserkennung in BMS
Wenn sich die Isolierung einer Batteriezelle verschlechtert, flie?t ein Erdschlussstrom durch unser Relais und gibt ein Alarmsignal aus.
Was ist Isolationsüberwachung/-erkennung?
Die Isolationsüberwachungs-/Erkennungsfunktion im BMS stellt sicher, dass die Batterieisolierung in Ordnung ist und keine Lecks auftreten. Das funktioniert so: Wenn sich die Isolierung einer Batteriezelle verschlechtert, flie?t ein Erdschlussstrom durch unser Relais und gibt ein Alarmsignal aus. Das Relais muss einer Spannung standhalten, die h?her als die Nennspannung des Akkupacks ist, normalerweise mit Puffer. Beispielsweise erfordert ein Akkupack mit 800 V Nennspannung normalerweise ein Relais mit einer Lastspannung von mehr als 1600 V.
Warum besteht in BMS ein zunehmender Bedarf an Halbleiterrelais mit h?herer Lastspannung?
Frühe Elektroautos litten unter geringen Reichweiten und langen Ladezeiten. Um die Reichweite des Elektrofahrzeugs zu erh?hen und die Ladegeschwindigkeit zu verbessern, müssen Batteriehersteller die Gesamtspannung und den Nennstrom erh?hen. Deshalb müssen Relais, die für h?here Spannungen ausgelegt sind, sicherstellen, dass die Isolationsüberwachungsfunktion ordnungsgem?? funktioniert. Bright Toward beliefert weltweit gro?e Hersteller von Autobatterien. Wir sahen, dass die Nachfrage nach Halbleiterrelais mit h?herer Lastspannung zunahm. Die physikalische Grenze eines Silizium-basierten Opto-MOSFET-Relais liegt bei etwa 1500 V; Aus diesem Grund haben wir 2016 mit der Entwicklung von Opto-MOSFET-Relais auf Siliziumkarbidbasis begonnen, um die Lastspannung weiter zu verbessern. Wir haben die Produktlinie 2018 erfolgreich angekündigt. In den folgenden Jahren validierten gro?e Automobilunternehmen unsere SiC-Opto-MOSFET-Relais. Ab 2022,?
?
Bisher haben gro?e Automobilunternehmen unsere 1800-V-Opto-SiC-MOSFET-Relais (AA58, AS58) validiert und die Massenproduktion l?uft bereits. Unsere 3300-V-Opto-SiC-MOSFET-Relais (AA53, AS53) sind ebenfalls produktionsbereit und die Validierung l?uft noch. Unsere 6600-V-Opto-SiC-MOSFET-Relais befinden sich im Qualifizierungsprozess und technische Muster liegen bereit. Bright Toward ist auf die Zukunft vorbereitet und würde gerne Teil Ihres Designs sein.
- Verwandte Produkte
-
1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA51
Dieses Siliziumkarbid-IC-Miniatur-Halbleiterrelais bietet eine Lastspannung von bis zu 1200 V mit einem Laststrom von 470 mA und einem Einschaltwiderstand...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA51F
Mit einer Lastspannung von bis zu 1200 V und einem Laststrom von 470 mA ist unser Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AM51
Mit einer Lastspannung von 1200 V in einem kompakten DIP8-6-Geh?use ist das Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1200 V/470 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AM51F
Dieses SMD8-6-Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais mit einer Lastspannung von 1200 V und einem Laststrom von 470 mA ist für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationserkennung...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1700 V/350 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA52
Dieses DIP6-5-Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais mit einer Lastspannung von bis zu 1700 V und einem Laststrom von 350 mA ist für Hochspannungsanwendungen...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1700 V/350 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA52F
Die SMD6-5-Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais mit 1700 V/350 mA und einem Einschaltwiderstand von 0,6 Ω von TOWARD RELAYS sind für Hochspannungsanwendungen...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
3300 V/300 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA53
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem DIP6-5-Geh?use zu übertragen, sind unsere SiC-IC-Halbleiterrelais die innovativsten der Branche....
Einzelheiten In den Warenkorb legen
3300 V/300 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA53F
Diese SMD6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais mit einer Lastspannung von 3300 V und einem Laststrom von 300 mA sind einzigartig in der Branche. Wir sind...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
3300 V/300 mA/DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AM53
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Geh?use zu übertragen, sind unsere Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais die innovativsten...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
3300 V/300 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AM53F
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem SMD8-6-Geh?use zu übertragen, sind unsere Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais die innovativsten...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
Einzigartiges Paket zur Verbesserung der Kriechstrecke, 3000 V/500 mA, Halbleiterrelais
AN53
Dieses einzigartig verpackte 3000-V/500-mA-Miniatur-Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais verbessert die Kriechstrecke für automatisierte Prüfger?te (ATE),...
Einzelheiten In den Warenkorb legen
1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Dies ist ein SiC-MOSFET-Ausgangsminiatur-Halbleiterrelais, das eine Spannung von bis zu 1800 V l?dt. Als Material für den MOSFET im Inneren des Relais...
Einzelheiten In den Warenkorb legen