電動車絕緣檢測關鍵: 碳化矽光耦合繼電器
對于電動車(EV)來說，電池管理系統(Battery Management System)是核心的關鍵，而電池管理系統內的電池絕緣檢測(Insulation Resistance)，更是把關乘客性命的重要功能，隨著消費者對于電動車的電池續航力與充電速度的高度要求，電動車電池組(Battery Pack) 的總電壓也隨之提高，對于繼電器的選用也更加重要。而拓緯的光耦合繼電器(Opto-MOSFET Relay)，早已完成量產驗證，于各大廠商取得卓越成果。
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2016年，拓緯就跟上市場的脈動，考量矽基底MOSFET的物理耐壓極限(1500V)，遂決心投入碳化矽基底光耦合繼電器研發(Opto SiC MOSFET Relay)，并領先業界于2018年發布1700V，1800V及今年問世的3300V高電壓碳化矽光耦合繼電器。解決目前合作車廠的迫切需求，率先跨入下一世代產品規畫。
拓緯副總陳立昕表示，面對這些一流車廠時，廠商對于晶片與封裝及要求經常比AEC-Q 車規認證嚴格數倍，其中除了需要花費大量時間與成本進行產品測試，也同時需要積極精進制程，改進晶片設計，新產品的導入平均歷時3 到5 年，過程中也讓拓緯的光耦合繼電器品質及技術取得絕對領先。
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研發經理陳垂勇表示，拓緯是全世界第一個推出高壓碳化矽光耦合繼電器的廠商，過程中，拓緯理解到了許多車廠的特殊要求，共同制定了高壓標準，并配合車廠做了一系列的實驗以確保繼電器能在惡劣的環境下維持功能與壽命表現。?
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拓緯耕耘電動車市場屆滿十年，從380V時代開始，機械式磁簧繼電器尚能滿足絕緣檢測的需求。但隨著電動車走入主流，電池組的總電壓也翻倍成長，車廠對于高壓繼電器的要求也越來越嚴格。舉例來說：其中歐洲某車廠要求絕緣檢測用其耐電壓必須是電動車總電壓的兩倍再加上1000V 的緩沖，這項要求于當時，是沒有單一繼電器能完成此項條件，廠商因而使用串聯的方式處理，因此也有了不可見的隱憂。
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有鑒于此，拓緯領先開發出3300V 的光耦合繼電器，除符合高壓需求，無機械式接點的設計也成就更長的壽命。市場獨一無二的碳化矽基底(Silicon Carbide) 的固態光耦合繼電器(Opto-MOSFET Relay) 成功解決了電動車廠的高壓需求，為未來做好準備，成為繼電器產業的領頭羊。
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AA51
拓緯的AA51光耦合繼電器采用碳化矽(Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的電壓，耐電流為470毫安培，導通電阻為0.6...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為470 毫安培，導通電阻為0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，并確保其產品能于-40...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
采用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為0.6 Ohms....
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM51F
A接點常開型的光耦合繼電器，耐電壓達1200伏，耐電流600mA，導通電阻為0.6 ohms. 封裝于SMD8-6中的因而增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，并確保其產品能于-40...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA52
此光耦合繼電器能負載高達1700伏的電壓，耐電流350毫安培，導通電阻為0.6 ohms. 為封裝于DIP6-5中的碳化矽半導體式光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力。采無機械接點設計，內部使用LED驅動碳化矽MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件下使用下長達數十年之久，除了出色的崩潰電壓表現(1700V),...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為0.06...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，并確保其產品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，并確保其產品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝于SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，并確保其產品能于-40...
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AN53
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AA58
這是一顆可負載1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料制成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動SiC...
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