Kunci kepada EV jarak jauh: Geganti Opto-SiC MOSFET digunakan pada BMS
Sistem Pengurusan Bateri ialah teknologi penting yang menguruskan keseluruhan pek bateri yang diletakkan di dalam kenderaan elektrik. Pek bateri ini terdiri daripada banyak sel bateri. Pengawasan yang disediakan oleh BMS termasuk Pemantau dan Pengesanan Penebat, melaporkan status operasi dan terus mengoptimumkan prestasi bateri dengan mengimbangi baki kuasa setiap sel. Geganti Opto-MOSFET (aka Geganti Keadaan Pepejal) boleh digunakan pada ketiga-tiga fungsi. Artikel ini akan meneliti Geganti Opto SiC MOSFET Bright Toward yang baru diperkenalkan dan peranannya dalam Pengesanan Penebat BMS.
Apakah itu BMS (Sistem Pengurusan Bateri)?
Gambarajah Litar untuk Pengesanan Penebat dalam BMS
Jika penebat dalam mana-mana sel bateri merosot, arus kerosakan tanah melalui geganti kami, mengeluarkan isyarat penggera.
Apakah Pemantau/Pengesanan Penebat?
Fungsi Monitor/Pengesanan penebat dalam BMS memastikan penebat bateri sihat dan tiada kebocoran berlaku. Ia berfungsi seperti ini: Jika penebat dalam mana-mana sel bateri merosot, arus kerosakan tanah melalui geganti kami, mengeluarkan isyarat penggera. Relay perlu menahan voltan yang lebih tinggi daripada voltan nominal pek bateri, biasanya dengan penimbal. Sebagai contoh, pek bateri dengan voltan nominal 800V biasanya memerlukan geganti dengan voltan beban lebih besar daripada 1600V.
Mengapakah terdapat peningkatan keperluan untuk voltan beban yang lebih tinggi Geganti Keadaan Pepejal dalam BMS?
Kereta elektrik awal mengalami julat rendah dan masa pengecasan yang perlahan. Untuk meningkatkan julat EV dan meningkatkan kelajuan pengecasan, pengeluar bateri perlu meningkatkan jumlah voltan dan penarafan arus. Oleh itu, geganti berkadar pada voltan yang lebih tinggi mesti memastikan fungsi pemantauan penebat berfungsi dengan baik. Bright Toward telah membekalkan pengeluar bateri automotif utama di seluruh dunia; kami melihat permintaan untuk geganti keadaan pepejal voltan beban yang lebih tinggi meningkat. Had fizikal Opto-MOSFET Relay berasaskan Silikon ialah sekitar 1500V; oleh itu, kami memulakan pembangunan Relay Opto-MOSFET berasaskan Silicon Carbide pada 2016 untuk meningkatkan lagi voltan beban. Kami berjaya mengumumkan barisan produk pada 2018. Syarikat automotif utama mengesahkan Geganti SiC Opto-MOSFET kami dalam beberapa tahun berikutnya. Sehingga 2022,?
?
Setakat ini, syarikat automotif utama telah mengesahkan 1800V Opto-SiC MOSFET Relays (AA58, AS58) kami dengan pengeluaran besar-besaran berterusan. Geganti 3300V Opto-SiC MOSFET (AA53, AS53) kami juga sedia pengeluaran, dengan pengesahan berterusan. Geganti MOSFET Opto-SiC 6600V kami sedang dalam proses kelayakan dengan sampel kejuruteraan sedia. Bright Toward bersedia untuk masa hadapan dan ingin menjadi sebahagian daripada reka bentuk anda.
- Produk Berkaitan
-
1200V/470mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51
Relay Keadaan Pepejal Miniatur Silicon Carbide IC ini menyediakan sehingga 1200V voltan beban dengan 470mA arus beban dan pada rintangan pada 0.6Ω. Ia mempunyai...
Details Add to cart
1200V/470mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51F
Dengan sehingga 1200V voltan beban dan 470mA arus beban, Silicon Carbide miniatur IC Solid State Relay kami direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti...
Details Add to cart
1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51
Dengan voltan beban pada 1200V dalam pakej DIP8-6 padat, Silicon Carbide miniatur IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1200V/470mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51F
Voltan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1700V/350mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52
Voltan beban ini sehingga 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1700V/350mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52F
TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan penebat...
Details Add to cart
3300V/300mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej DIP6-5, Geganti Keadaan Pepejal IC SiC kami adalah yang paling inovatif dalam industri....
Details Add to cart
3300V/300mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53F
Voltan beban 3300V, arus beban 300mA SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relays adalah unik untuk industri. Kami adalah yang pertama menggunakan Silicon...
Details Add to cart
3300V/300mA/DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej miniatur DIP8-6, Silicon Carbide IC Solid-State Relays kami adalah yang paling inovatif...
Details Add to cart
3300V/300mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53F
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej SMD8-6, Silicon Carbide IC Solid-State Relays kami adalah yang paling inovatif dalam...
Details Add to cart
Pakej unik untuk meningkatkan jarak rayapan, 3000V/500mA, Geganti Keadaan Pepejal
AN53
Relay Keadaan Pepejal IC Silicon Carbide 3000V/500mA yang dibungkus secara unik ini meningkatkan dengan ketara jarak rayapan untuk Peralatan Ujian Automatik...
Details Add to cart
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SIC MOSFET), DIP6-5
AA58
Ini ialah geganti keadaan pepejal keluaran SiC MOSFET yang memuatkan voltan sehingga 1800V. Silicon Carbide digunakan sebagai bahan untuk MOSFET di dalam...
Details Add to cart