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    • 1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Anbieter | Hersteller hochwertiger Relais und Schalter aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Mit einer Lastspannung von 1200 V in einem kompakten DIP8-6-Geh?use ist das Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationserkennung in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Um den hohen Spannungs- und Haltbarkeitsanforderungen der Elektrofahrzeugindustrie gerecht zu werden, haben wir Siliziumkarbid als Material für die internen MOSFETs in unseren Miniaturrelais verwendet. Dies erm?glicht Anwendungen in rauen Umgebungen. Das kontaktlose Design erm?glicht zudem eine nahezu unbegrenzte Lebensdauer. Mit einem DIP8-6-Geh?use wird die Kriechstrecke verbessert, um die Isolierung zu verbessern. Das SiC-IC-Halbleiterrelais AM51 wird in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen entwickelt, hergestellt und getestet. B.Tist ein hochwertiger Hersteller von HF-MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Halbleiterrelais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisherstellung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. seit 1988

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    1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)

    DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd ist ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

    1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
    • 1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
    1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
    AM51

    DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

    Mit einer Lastspannung von 1200 V in einem kompakten DIP8-6-Geh?use ist das Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationserkennung in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Um den hohen Spannungs- und Haltbarkeitsanforderungen der Elektrofahrzeugindustrie gerecht zu werden, haben wir Siliziumkarbid als Material für die internen MOSFETs in unseren Miniaturrelais verwendet. Dies erm?glicht Anwendungen in rauen Umgebungen. Das kontaktlose Design erm?glicht zudem eine nahezu unbegrenzte Lebensdauer. Mit einem DIP8-6-Geh?use wird die Kriechstrecke verbessert, um die Isolierung zu verbessern. Das SiC-IC-Halbleiterrelais AM51 wird in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen entwickelt, hergestellt und getestet.

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    Merkmale
    • Miniaturgr??e
    • Abmessungen: 9,8* 6,4* 3,4 mm
    • Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
    • Stiller Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
    • Hervorragende Linearit?t
    • Erfordert einen niedrigen Antriebsstrom/eine niedrige Antriebsspannung
    • Minimierter L?rm
    • Hohe Isolierung
    • Hohe Isolation
    Kontakt Formular
    • 1 Form A
    E/A-Durchbruchspannung
    • 3750
    • 5000
    Art der Ladung
    • AC
    • DC
    Lastspannung (V)
    • 1200
    Laststrom (A)
    • 0.47
    Pakettyp
    • DIP8-6
    Einschaltwiderstand (Ω)
    • 0.6
    Anwendung
    • Batteriemanagementsystem (BMS)
    • Isolationserkennungsmodule
    • Elektrisches Fahrzeug
    • Ladestationen
    • Hochspannungsschutzmechanismus
    • Automatische Testausrüstung (ATE)
    • Industrielle Steuerung
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    Dies ist ein SiC-MOSFET-Ausgangsminiatur-Halbleiterrelais, das eine Spannung von bis zu 1800...

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    AM51 Datenblatt – 1200 V/470 mA
    AM51 Datenblatt – 1200 V/470 mA

    1 Form A, SiC-MOSFET, DIP8-6-Geh?use – 9,8 mm x 6,4 mm x 3,4 mm

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    B.T-1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Hersteller

    Seit 1988 in Taiwan ans?ssig,Bright Toward Industrial Co., LTD.ist ein Relaislieferant und -hersteller. Hauptprodukte, einschlie?lich Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Halbleiterrelais, Reed-Relais und HF-MEMS-Schalter.

    B.Tliefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und unterh?lt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan; Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien; JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays and Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Wir beliefern haupts?chlich die Halbleitertests, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), Industriemaschinen und Elektrofahrzeuge.

    B.Tbietet seinen Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, beide mit fortschrittlicher Technologie und 30 Jahren Erfahrung,B.Tstellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.

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