3300 V/300 mA/DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AM53
DIP8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Geh?use zu übertragen, sind unsere Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais die innovativsten in der Branche. Mit einem DIP8-6-Geh?use verfügt dieses Relais aufgrund der Kriechstrecke über eine hervorragende Isolationsleistung. TOWARD RELAYS ist das erste Unternehmen, das Siliziumkarbid als Material für unsere MOSFET-ICs verwendet. Dies erm?glicht eine sehr hohe Lastspannung bei hervorragender Haltbarkeit. Bei Anwendungen wie Wechselrichtern, Outdoor-Ladestationen und Batteriemanagementsystemen in Elektrofahrzeugen kann unser SiC IC SSR der volatilen Umgebung, Feuchtigkeit und schwankenden Temperaturen standhalten. Alle Herstellungsprozesse werden in Reinr?umen der Klasse 1K in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen durchgeführt.
Merkmale
- Opto-SiC MOSFET-Relais
- Miniaturgr??e
- Abmessungen: 9,8* 6,4* 3,4 mm
- Siliziumkarbid-MOSFET
- Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
- Stiller Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearit?t
- Erfordert einen niedrigen Antriebsstrom/eine niedrige Antriebsspannung
- Minimierter L?rm
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontakt Formular
- 1 Form A
E/A-Durchbruchspannung
- 3750
- 5000
Art der Ladung
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 3300
Laststrom (A)
- 0.3
Pakettyp
- DIP8-6
Einschaltwiderstand (Ω)
- 3.2
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationserkennungsmodule
- Elektrisches Fahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatische Testausrüstung (ATE)
- Industrielle Steuerung
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AM53 Datenblatt – 3300 V/300 mA
1 Form A, SiC-MOSFET, DIP8-6-Geh?use – 9,8 mm x 6,4 mm x 3,4 mm
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