SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300 V erh?ht, wobei 6600 V in der Entwicklung sind. Die Durchbruchspannung am Eingang/Ausgang kann zwischen 3750 V und 5000 V gew?hlt werden. Diese Opto-SiC-MOSFET-Relais mit hoher Lastspannung sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den 1K-Reinr?umen der Fabrik von Bright Toward hergestellt.
Bild | name | Kontakt Formular | Lastspannung (V) | Laststrom (A) | Download | Aktion |
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![]() | 1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200 V/470 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700 V/350 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700 V/350 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300 V/300 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300 V/300 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300 V/300 mA/DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300 V/300 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Einzigartiges Paket zur Verbesserung der Kriechstrecke, 3000 V/500 mA, Halbleiterrelais | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300 V/350 mA/SO16 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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