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    • 1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Anbieter | Hersteller hochwertiger Relais und Schalter aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Mit einer Lastspannung von bis zu 1200 V und einem Laststrom von 470 mA ist unser Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationserkennung in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Um den hohen Spannungs- und Haltbarkeitsanforderungen der Elektrofahrzeugindustrie gerecht zu werden, haben wir Siliziumkarbid als Material für die internen MOSFETs in unseren Miniaturrelais verwendet. Dies erm?glicht Anwendungen in rauen Umgebungen. Alle Herstellungsprozesse werden im 1K-Reinraum unseres Werks durchgeführt. B.Tist ein hochwertiger Hersteller von HF-MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Halbleiterrelais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisherstellung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. seit 1988

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    1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)

    SMD6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd ist ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

    1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
    • 1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
    1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
    AA51F

    SMD6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

    Mit einer Lastspannung von bis zu 1200 V und einem Laststrom von 470 mA ist unser Miniatur-IC-Halbleiterrelais aus Siliziumkarbid für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationserkennung in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Um den hohen Spannungs- und Haltbarkeitsanforderungen der Elektrofahrzeugindustrie gerecht zu werden, haben wir Siliziumkarbid als Material für die internen MOSFETs in unseren Miniaturrelais verwendet. Dies erm?glicht Anwendungen in rauen Umgebungen. Alle Herstellungsprozesse werden im 1K-Reinraum unseres Werks durchgeführt.

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    Merkmale
    • Opto-SiC MOSFET-Relais
    • Miniaturgr??e
    • Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
    • Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
    • Stiller Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
    • Hervorragende Linearit?t
    • Erfordert einen niedrigen Antriebsstrom/eine niedrige Antriebsspannung
    • Minimierter L?rm
    • Hohe Isolierung
    • Hohe Isolation
    Kontakt Formular
    • 1 Form A
    E/A-Durchbruchspannung
    • 3750
    • 5000
    Art der Ladung
    • AC
    • DC
    Lastspannung (V)
    • 1200
    Laststrom (A)
    • 0.47
    Pakettyp
    • SMD6-5
    Einschaltwiderstand (Ω)
    • 0.6
    Anwendung
    • Batteriemanagementsystem (BMS)
    • Isolationserkennungsmodule
    • Elektrisches Fahrzeug
    • Ladestationen
    • Hochspannungsschutzmechanismus
    • Automatische Testausrüstung (ATE)
    • Industrielle Steuerung
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    Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Geh?use zu übertragen,...

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    3300 V/300 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
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    Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem SMD8-6-Geh?use zu übertragen, sind...

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    3300 V/350 mA/SO16 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - SO-16, 3300 V/350 mA SSR-Relais-Kriechweg > 8 mm SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
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    Dieses Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais kann eine Spannung von bis zu 3300 V mit einer Kriechstrecke...

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    Einzigartiges Paket zur Verbesserung der Kriechstrecke, 3000 V/500 mA, Halbleiterrelais - Paket einzigartig, 3000 V/500 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A)
    Einzigartiges Paket zur Verbesserung der Kriechstrecke, 3000 V/500 mA, Halbleiterrelais
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    Dieses einzigartig verpackte 3000-V/500-mA-Miniatur-Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais verbessert...

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    1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5, 1800 V/30 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
    1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), DIP6-5
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    Dies ist ein SiC-MOSFET-Ausgangsminiatur-Halbleiterrelais, das eine Spannung von bis zu 1800...

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    AA51 Datenblatt – 1200 V/470 mA
    AA51 Datenblatt – 1200 V/470 mA

    1 Form A, SiC-MOSFET, DIP6-5-Geh?use – 8,8 mm x 6,4 mm x 3,4 mm

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    B.T-1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Hersteller

    Seit 1988 in Taiwan ans?ssig,Bright Toward Industrial Co., LTD.ist ein Relaislieferant und -hersteller. Hauptprodukte, einschlie?lich Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Halbleiterrelais, Reed-Relais und HF-MEMS-Schalter.

    B.Tliefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und unterh?lt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan; Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien; JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays and Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Wir beliefern haupts?chlich die Halbleitertests, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), Industriemaschinen und Elektrofahrzeuge.

    B.Tbietet seinen Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, beide mit fortschrittlicher Technologie und 30 Jahren Erfahrung,B.Tstellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.

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