Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу Supplier | High-Quality Relays and Switches Manufacturer from Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Это микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT высокой мощности (длина * ширина * высота: 7,5*4,4*2,0 мм). Каждый канал способен обеспечить прямую мощность более 9 Вт. Этот радиочастотный MEMS-переключатель обеспечивает сверхнизкие вносимые потери и превосходную линейность в диапазоне от постоянного тока до 8 ГГц, обеспечивая более 3 миллиардов операций включения/выключения. M2CG предназначен для усиленной защиты от электростатического разряда до 2 кВ HBM. Он идеален в приложениях, где линейность, вносимые потери и защита от электростатического разряда являются критическими параметрами. B.T is a high-quality RF MEMS Switch, Opto-MOS Relay ,Opto-MOSFET Relays, Reed Relay, Solid State Relay manufacturer from Taiwan. With more than 30 years relay manufacture experience, Bright Toward is specialised in manufacturing different kinds of relays. since 1988

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу

Радиочастотный MEMS-переключатель (ESD Enhanced) 8 ГГц DPDT / Bright Toward Industrial Co., Ltd is a manufacturer of Solid State Relays, Reed Relays and MEMS Switches.

Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу - Радиочастотный MEMS-переключатель (ESD Enhanced) 8 ГГц DPDT
  • Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу - Радиочастотный MEMS-переключатель (ESD Enhanced) 8 ГГц DPDT
Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу
M2CG

Это микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT высокой мощности (длина * ширина * высота: 7,5*4,4*2,0 мм). Каждый канал способен обеспечить прямую мощность более 9 Вт. Этот радиочастотный MEMS-переключатель обеспечивает сверхнизкие вносимые потери и превосходную линейность в диапазоне от постоянного тока до 8 ГГц, обеспечивая более 3 миллиардов операций включения/выключения. M2CG предназначен для усиленной защиты от электростатического разряда до 2 кВ HBM. Он идеален в приложениях, где линейность, вносимые потери и защита от электростатического разряда являются критическими параметрами.

Функции
  • от постоянного тока до 8 ГГц
  • ДПДТ
  • Высокая линейность IP3 > 90 дБм
  • Вносимые потери во включенном состоянии: 3,0 дБ @ 8 ГГц
  • Изоляция 35 дБ @ 8 ГГц
  • Емкость в выключенном состоянии при 15фФ
  • 3 миллиарда коммутационных операций
  • Время включения 3 микросекунды
  • ЭСР 2000 В (HBM)
Форма обратной связи
  • DPDT (MEMS Switch)
Частота
  • 8 GHz
Мощность
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Напряжение нагрузки (В)
  • 150
Ток нагрузки (А)
  • 0.5
О сопротивлении (Ом)
  • 1
Вносимая потеря
  • 3dB @ 8GHz
Обратные потери
  • 10dB@ 8GHz
Изоляция
  • 35dB
Защита от ЭСР
  • 2,000V
Application
  • Переключаемые банки фильтров и настраиваемые фильтры
  • Высокомощные радиочастотные интерфейсы
  • Тестирование полупроводников
  • Настройка антенны
  • Управление лучом антенны
  • Цифровые ступенчатые аттенюаторы
сопутствующие товары
Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель SP4T, 8 ГГц - Радиочастотный MEMS-переключатель от постоянного тока до 8 ГГц SP4T
Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель SP4T, 8 ГГц
MM5140

Этот высокомощный RF MEMS-переключатель SP4T обеспечивает...

Подробности Добавить в список
Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель SP4T, 26 ГГц - От постоянного тока до 26 ГГц, RF MEMS-переключатель SP4T
Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель SP4T, 26 ГГц
MM5130

Это мощный микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель...

Подробности Добавить в список
От постоянного тока до 18 ГГц, RF MEMS-переключатель SP4T - От постоянного тока до 18 ГГц, RF MEMS-переключатель SP4T
От постоянного тока до 18 ГГц, RF MEMS-переключатель SP4T
MM5120

Это высокочастотный (от постоянного тока до 18 ГГц)...

Подробности Добавить в список
Двойное радиочастотное MEMS-реле DP3T, 64 Гбит/с - Двойное RF MEMS-реле DP3T, 64 Гбит/с с шлейфом
Двойное радиочастотное MEMS-реле DP3T, 64 Гбит/с
MM5620

MM5620 — это специализированное реле, поддерживающее...

Подробности Добавить в список
Радиочастотный MEMS-коммутатор DPDT 40 Гбит/с - Дифференциальный коммутатор DPDT 40 Гбит/с со встроенным драйвером
Радиочастотный MEMS-коммутатор DPDT 40 Гбит/с
MM5600

Это переключатель DPDT для высокоскоростной коммутации...

Подробности Добавить в список
Усилительная микросхема от 5 В до 90 В - Усилительная микросхема от 5 В до 90 В
Усилительная микросхема от 5 В до 90 В
MD05-90

Это усилительная микросхема с входом 5 В; он выдает...

Подробности Добавить в список
Скачать
Технический паспорт M2CG
Технический паспорт M2CG

12 ГГц DPDT, RF MEMS-переключатель (с защитой от электростатических разрядов)

Скачать

B.T - Микромеханический радиочастотный MEMS-переключатель DPDT 8 ГГц (ESD Enhanced) с обратной связью по шлейфу Manufacturer

Located in Taiwan since 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. is a relay supplier and manufacturer. Main products, including Opto-MOSFET Relays, Opto-SiC MOSFET Relays, Solid State Relays, Reed Relays, and RF MEMS Switches.

B.T supplies relays to the world's semiconductor and automotive industries for over three decades and has long term long-term partnerships with OKITA Works based in Japan; Menlo Microsystems based in California; JEL Systems based in Japan and Teledyne Relays and Coax Switches based in California. Mainly serve the Semiconductor Testing, ATE, BMS (Battery Management Systems), industrial machinery and Electric Vehicle industries.

B.T has been offering customers high-quality Opto-MOSFET and Opto-SiC MOSFET relays since 1988, both with advanced technology and 30 years of experience, B.T ensures each customer's demands are met.

国产xxxx99真实实拍