Conmutador MEMS RF micromecánico DPDT de 8 GHz (ESD mejorado) con bucle invertido
M2CG
Este es un interruptor MEMS RF micromecánico DPDT de alta potencia (largo*ancho*alto: 7,5*4,4*2,0 mm). Cada canal es capaz de generar más de 9 W de potencia directa. Este conmutador MEMS de RF proporciona una pérdida de inserción ultrabaja y una linealidad superior de CC a 8 GHz con más de 3 mil millones de operaciones de encendido/apagado. El M2CG está dise?ado para una protección ESD mejorada hasta 2KV HBM. Es ideal en aplicaciones donde la linealidad, la pérdida de inserción y la protección ESD son parámetros críticos.
Características
- CC a 8 GHz
- DPDT
- Alta linealidad IP3 > 90 dBm
- Pérdida de inserción en estado: 3,0 dB a 8 GHz
- Aislamiento de 35 dB a 8 GHz
- Capacitancia fuera del estado a 15 fF
- 3 mil millones de operaciones de conmutación
- Tiempo de encendido de 3 microsegundos
- ESD de 2000 V (HBM)
Formulario de contacto
- DPDT (MEMS Switch)
Frecuencia
- 8 GHz
Manejo de poder
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
Voltaje de carga (V)
- 150
Corriente de carga (A)
- 0.5
En resistencia (Ω)
- 1
Pérdida de inserción
- 3dB @ 8GHz
Pérdida de retorno
- 10dB@ 8GHz
Aislamiento
- 35dB
Protección ESD
- 2,000V
Solicitud
- Bancos de filtros conmutados y filtros sintonizables
- Front-ends de RF de alta potencia
- Pruebas de semiconductores
- Sintonización de antena
- Dirección del haz de antena
- Atenuadores de paso digitales
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