8 GHz DPDT マイクロメカニカル高周波ループバック付き MEMS スイッチ (ESD 強化)
M2CG
これはハイです接點定格DPDT マイクロメカニカル高周波MEMSスイッチ（長さ*幅*高さ：7.5*4.4*2.0mm）。各チャンネルは 9W を超える転送能力を備えています接點定格。これ高周波MEMS スイッチは、DC から 8GHz までの超低挿入損失と優れた直線性を実現し、30 億回を超えるオン/オフ動作を実現します。M2CG は、最大 2KV HBM までの ESD 保護を強化するように設計されています。直線性、挿入損失、ESD保護が重要なパラメータとなるアプリケーションに最適です。
特徴
- DC～8GHz
- DPDT
- 高直線性 IP3 > 90 dBm
- オン狀態の挿入損失: 3.0 dB @ 8GHz
- 35 dB のアイソレーション @ 8 GHz
- オフ狀態靜電容量（15fF）
- 30億回のスイッチング操作
- 3マイクロ秒動作時間
- 2000V ESD (HBM)
接點構成
- DPDT (MEMS Switch)
頻度
- 8 GHz
接點定格取り扱い
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
負荷電圧(V)
- 150
負荷電流(A)
- 0.5
接觸抵抗(Ω)
- 1
挿入損失
- 3dB @ 8GHz
リターンロス
- 10dB@ 8GHz
分離
- 35dB
ESD保護
- 2,000V
応用
- スイッチドフィルターバンクとチューナブルフィルター
- 高い接點定格 高周波フロントエンド
- 半導體検査
- アンテナの調整
- アンテナビームステアリング
- デジタルステップアッテネータ
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