Switch MEMS RF micromecanico DPDT de 8 GHz (ESD Enhanced) com Loopback
M2CG
Este é um switch RF MEMS micromecanico DPDT de alta potência (comprimento * largura * altura: 7,5 * 4,4 * 2,0 mm). Cada canal é capaz de fornecer potência direta superior a 9W. Este switch RF MEMS oferece perda de inser??o ultrabaixa e linearidade superior de DC a 8 GHz com mais de 3 bilh?es de opera??es liga/desliga. O M2CG foi projetado para prote??o aprimorada contra ESD de até 2KV HBM. é ideal em aplica??es onde linearidade, perda de inser??o e prote??o ESD s?o parametros críticos.
Características
- CC para 8 GHz
- DPDT
- Alta Linearidade IP3 > 90 dBm
- Perda de inser??o no estado: 3,0 dB a 8 GHz
- Isolamento de 35 dB a 8 GHz
- Capacitancia fora do estado em 15fF
- 3 bilh?es de opera??es de comuta??o
- Tempo de ativa??o de 3 microssegundos
- ESD de 2.000 V (HBM)
Formulário de Contato
- DPDT (MEMS Switch)
Frequência
- 8 GHz
Manipula??o de potencia
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
Tens?o de Carga (V)
- 150
Corrente de carga (A)
- 0.5
Na resistência (Ω)
- 1
Perda de inser??o
- 3dB @ 8GHz
Perda de retorno
- 10dB@ 8GHz
Isolamento
- 35dB
Prote??o ESD
- 2,000V
Aplicativo
- Bancos de filtros comutados e filtros ajustáveis
- Front-ends de RF de alta potência
- Teste de semicondutores
- Ajuste de Antena
- Dire??o do feixe de antena
- Atenuadores de Passo Digitais
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