Bright Toward выпускает реле Opto-MOSFET на основе карбида кремния 3300 В
Bright Toward Industrial Co., Ltd верит в карбид кремния как в будущее компонентов силовой электроники. Мы выпустили реле Opto SiC-MOSFET на 1700 В и 1800 В и выпустим еще одну линейку реле Opto SiC-MOSFET на 3300 В и 6600 В. Наши реле Opto-SiC MOSFET могут поддерживать различные приложения, от электромобилей до испытаний Hi-Pot, преобразователей, инверторов, медицинского оборудования, спутниковых двигателей и многого другого.
?
Bright Toward выпустила свое первое реле SiC MOSFET в 2017 году. После этого мы убедили наших клиентов в автомобильной промышленности заменить реле на основе Si на реле на основе SiC. Многие клиенты проверили наши продукты на основе SiC и применили их в своих проектах BMS, в том числе CATL и Volkswagen.
Реле Opto SiC MOSFET 1800 В/ 3300 В
AA53F — нормально разомкнутое реле SPST SiC MOS в корпусе SMD6-5. AA53F имеет напряжение нагрузки 3300 В и ток нагрузки 300 мА. AS58F имеет корпус SO-16 и длину пути утечки >8 мм.
SiC — полупроводник с широкой запрещенной зоной, способный выдерживать тысячи напряжений и высокие температуры (более 175°C). Компоненты SiC могут эффективно работать на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и MOSFET на основе кремния. SiC также имеет меньшее сопротивление в открытом состоянии при более высоком напряжении.
?
Компоненты на основе карбида кремния являются тенденцией. В настоящее время компоненты SiC конкурируют за систему трансмиссии на рынке электромобилей. Компонент SiC стремится разработать бортовые зарядные устройства для электромобилей и преобразователи постоянного тока. Применение компонентов SiC может помочь увеличить запас хода электромобилей на 5-10% на одной зарядке. Таким образом, производители автомобилей могут использовать в своих конструкциях аккумуляторы меньшего размера, легче и дешевле.
?
Помимо рынка электромобилей, реле Opto SiC-MOSFET от Bright Toward могут принести пользу промышленным предприятиям и центрам обработки данных, солнечным инверторам, инфраструктуре возобновляемых источников энергии и рынкам промышленной автоматизации. Уменьшение углеродного следа – это направление для различных отраслей промышленности. Чтобы удовлетворить спрос на рынке карбида кремния, Bright Toward планирует инвестировать больше в увеличение производственных мощностей наших продуктов на основе карбида кремния.
- Загрузка файла
- сопутствующие товары
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA51
Это миниатюрное твердотельное реле на основе карбида кремния с интегральной схемой...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA51F
С напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до 470 мА, наше миниатюрное твердотельное...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
AM51
С напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6 миниатюрное твердотельное реле...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM51F
Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное реле SMD8-6 с ИС на основе...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA52
Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА DIP6-5 Твердотельное реле с ИС на основе...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA52F
Твердотельные реле TOWARD RELAYS 1700 В / 350 мА, сопротивление во включенном состоянии 0,6 Ом,...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA53
Наши твердотельные реле SiC IC, способные выдерживать напряжение нагрузки до 3300 В в корпусе...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F
Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные реле SMD6-5 IC с карбидом...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM53
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки до 3300 В в миниатюрном корпусе...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки до 3300 В в корпусе SMD8-6 наши твердотельные...
Подробности Добавить в корзину
Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле
AN53
Это уникально упакованное миниатюрное твердотельное реле с карбидом кремния 3000 В / 500 мА...
Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это миниатюрное твердотельное реле с выходом SiC MOSFET, которое нагружает напряжение...
Подробности Добавить в корзину
