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    • Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclageFournisseur | Fabricant de relais et de commutateurs de haute qualité de Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Il s'agit d'un commutateur MEMS RF micromécanique DPDT haute puissance (longueur * largeur * hauteur?: 7,5 * 4,4 * 2,0 mm). Chaque canal est capable d’une puissance directe supérieure à 9 W. Ce commutateur RF MEMS offre une perte d'insertion ultra faible et une linéarité supérieure de DC à 8 GHz avec plus de 3 milliards d'opérations marche/arrêt. Le M2CG est con?u pour une protection ESD améliorée jusqu'à 2KV HBM. Il est idéal dans les applications où la linéarité, la perte d'insertion et la protection ESD sont des paramètres critiques. B.Test un fabricant de commutateurs RF MEMS, de relais opto-MOS, de relais opto-MOSFET, de relais Reed et de relais statiques de haute qualité de Taiwan. Avec plus de 30 ans d'expérience dans la fabrication de relais, Bright Toward est spécialisé dans la fabrication de différents types de relais. depuis 1988

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    Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclage

    Commutateur MEMS RF (ESD amélioré) DPDT 8 GHz/ Bright Toward Industrial Co., Ltd est un fabricant de relais statiques, de relais Reed et de commutateurs MEMS.

    Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclage - Commutateur MEMS RF (ESD amélioré) DPDT 8 GHz
    • Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclage - Commutateur MEMS RF (ESD amélioré) DPDT 8 GHz
    Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclage
    M2CG

    Il s'agit d'un commutateur MEMS RF micromécanique DPDT haute puissance (longueur * largeur * hauteur?: 7,5 * 4,4 * 2,0 mm). Chaque canal est capable d’une puissance directe supérieure à 9 W. Ce commutateur RF MEMS offre une perte d'insertion ultra faible et une linéarité supérieure de DC à 8 GHz avec plus de 3 milliards d'opérations marche/arrêt. Le M2CG est con?u pour une protection ESD améliorée jusqu'à 2KV HBM. Il est idéal dans les applications où la linéarité, la perte d'insertion et la protection ESD sont des paramètres critiques.

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    Caractéristiques
    • CC à 8 GHz
    • DPDT
    • Haute linéarité IP3 > 90 dBm
    • Perte d'insertion à l'état actif?: 3,0?dB à 8?GHz
    • Isolation de 35 dB à 8 GHz
    • Capacité hors état à 15fF
    • 3 milliards d'opérations de commutation
    • Temps d'allumage de 3 microsec
    • ESD 2?000?V (HBM)
    Formulaire de contact
    • DPDT (MEMS Switch)
    Fréquence
    • 8 GHz
    Gestion de la puissance
    • 9W (CW) 100W (Pulsed)
    Tension de charge (V)
    • 150
    Courant de charge (A)
    • 0.5
    Sur la résistance (Ω)
    • 1
    Perte d'insertion
    • 3dB @ 8GHz
    Perte de retour
    • 10dB@ 8GHz
    Isolement
    • 35dB
    Protection ESD
    • 2,000V
    Application
    • Banques de filtres commutés et filtres réglables
    • Frontaux RF haute puissance
    • Tests de semi-conducteurs
    • Réglage de l'antenne
    • Direction du faisceau d'antenne
    • Atténuateurs numériques
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    Il s'agit d'un Booster IC avec une entrée 5 V?; il produit une force motrice haute tension...

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    Fiche technique M2CG
    Fiche technique M2CG

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    B.T-Commutateur MEMS RF micromécanique DPDT 8 GHz (ESD amélioré) avec bouclageFabricant

    Situé à Ta?wan depuis 1988,Bright Toward Industrial Co., LTD.est un fournisseur et fabricant de relais. Principaux produits, notamment les relais opto-MOSFET, les relais opto-SiC MOSFET, les relais statiques, les relais Reed et les commutateurs RF MEMS.

    B.Tfournit des relais aux industries mondiales des semi-conducteurs et de l'automobile depuis plus de trois décennies et entretient des partenariats à long terme avec OKITA Works basé au Japon?; Menlo Microsystems basé en Californie?; JEL Systems basé au Japon et Teledyne Relays and Coax Switches basés en Californie. Servir principalement les secteurs des tests de semi-conducteurs, des ATE, des BMS (systèmes de gestion de batterie), des machines industrielles et des véhicules électriques.

    B.Tpropose à ses clients des relais Opto-MOSFET et Opto-SiC MOSFET depuis 1988, tous deux dotés d'une technologie de pointe et de 30 ans d'expérience,B.Tveille à ce que les demandes de chaque client soient satisfaites.

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