DC to 8 GHz, DPDT 射頻微機電開關
M2CG
這是一顆DPDT (2 Form C) 的高頻(DC to 8GHz) 微機電開關(長*寬*高:7.5*4.4*2.0mm)。是特別為了差分訊號( Differential Signal) 所設計的高頻開關。
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除了各個通道能承受9W 功率，插入損耗在8GHz 時也仍有3 dB 的水準，線性度規格IP3 > 90 dBm， 斷態電容(Coff)極微小，僅有15 fF，能有效降低電阻電容時間常數。
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結合了奇異電子(General Electric) 的材料學與康寧玻璃( Corning) 的玻璃穿孔技術，此微機電開關有30億回的壽命，并可以在高溫環境下熱切換。
產品特性
- DC to 8GHz
- DPDT
- 微機電制成
- 超小體積
- 每通道可承受9W功率
- 低插入損耗3dB @ 8GHz
- 良好線性度IP3 > 90 dBM
- 高絕緣35dB Isolation @ 8 GHz
- 30億回壽命
- ESD 靜電防護2000V
接點形式
- DPDT (MEMS Switch)
頻率
- 8 GHz
承受功率
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
耐電壓(V)
- 150
耐電流(A)
- 0.5
導通電組(Ω)
- 1
插入損耗
- 3dB @ 8GHz
反射損耗
- 10dB@ 8GHz
隔離度
- 35dB
靜電防護
- 2,000V
產品應用
- 切換濾波器組和可調諧濾波器
- 高功率射頻前端
- 低損耗開關矩陣
- RF EM 繼電器更換
- 天線調諧
- 天線波束控制
- 數位步進衰減器
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