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  • Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced)Fournisseur | Fabricant de relais et de commutateurs de haute qualité de Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Il s'agit d'un commutateur micro-mécanique RF MEMS SP4T haute puissance (longueur * largeur * hauteur: 5,8 * 5,8 * 1,9 mm). Chaque canal est capable d'une puissance directe supérieure à 9 W. Ce commutateur RF MEMS offre une perte d'insertion ultra-faible et une linéarité supérieure de CC à 16 GHz avec plus de 3 milliards d'opérations marche/arrêt. Le M4AG est con?u pour une protection ESD améliorée jusqu'à 2KV HBM. Il est idéal dans les applications où la linéarité, la perte d'insertion et la protection ESD sont des paramètres critiques. B.Test un commutateur RF MEMS de haute qualité, un relais Opto-MOS, des relais Opto-MOSFET, un relais Reed, un fabricant de relais à semi-conducteurs de Taiwan. Avec plus de 30 ans d'expérience dans la fabrication de relais, Bright Toward est spécialisé dans la fabrication de différents types de relais. depuis 1988

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    Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced)

    Commutateur RF MEMS (ESD amélioré) 12GHz SP4T/ Bright Toward Industrial Co., Ltd est un fabricant de relais statiques, de relais Reed et de commutateurs MEMS.

    Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced) - Commutateur RF MEMS (ESD amélioré) 12GHz SP4T
    • Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced) - Commutateur RF MEMS (ESD amélioré) 12GHz SP4T
    Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced)
    M4AG

    Il s'agit d'un commutateur micro-mécanique RF MEMS SP4T haute puissance (longueur * largeur * hauteur: 5,8 * 5,8 * 1,9 mm). Chaque canal est capable d'une puissance directe supérieure à 9 W. Ce commutateur RF MEMS offre une perte d'insertion ultra-faible et une linéarité supérieure de CC à 16 GHz avec plus de 3 milliards d'opérations marche/arrêt. Le M4AG est con?u pour une protection ESD améliorée jusqu'à 2KV HBM. Il est idéal dans les applications où la linéarité, la perte d'insertion et la protection ESD sont des paramètres critiques.

    Caractéristiques
    • CC à 16 GHz
    • SP4T
    • Haute linéarité IP3>85 dBm
    • Perte d'insertion à -0,2 dB à 6 GHz
    • Perte de retour -15dB à 6GHz
    • Capacité hors état à 15fF
    • 3 milliards de vie opérationnelle marche/arrêt
    • Temps d'activation de 8 microsecondes
    • 2000V ESD (HBM)
    Formulaire de contact
    • SP4T (MEMS Switch)
    Fréquence
    • 16 GHz
    Gestion de la puissance
    • 9W (CW) 100W (Pulsed)
    Tension de charge (V)
    • 150
    Courant de charge (A)
    • 0.5
    Sur Résistance (Ω)
    • 1
    Perte d'insertion
    • 3.0dB@ 16GHz
    Perte de retour
    • 10dB@ 16GHz
    Isolement
    • 20dB
    Protection ESD
    • 2,000V
    Performances à 10?Gbit/s (chemin du signal différentiel)

    Hauteur des yeux?: 607?mV/largeur des yeux?: 94,6?ps/jitter 7,9593?ps

    Performances à 10?Gbit/s (chemin de bouclage)

    Hauteur des yeux?: 606?mV/Largeur des yeux?: 94,8?ps/Jitter?: 7,8224?ps

    Performances à 20?Gbit/s (chemin du signal différentiel)

    Hauteur des yeux?: 457?mV/ Largeur des yeux?: 43,46?ps/ Gigue 9,5976?ps

    Performances à 20?Gbit/s (chemin de bouclage)

    Hauteur des yeux?: 457?mV/ Largeur des yeux?: 43,46?ps/ Gigue?: 9,5978?ps

    Performances à 32 Gbps (chemin de signal différentiel)

    Hauteur des yeux?: 135?mV/Largeur des yeux?: 21,97?ps/Jitter?: 12,636?ps

    Performances à 32?Gbit/s (chemin de bouclage)

    Hauteur des yeux?: 140?mV/ Largeur des yeux?: 21,97?ps/ Gigue 12,137?ps

    Application
    • Cartes de test de semi-conducteurs
    • Test de circuits intégrés 5G
    • Banques de filtres commutées et filtres accordables
    • Frontaux RF haute puissance
    • Réglage de l'antenne
    • Infrastructure sans fil
    • Stations de base 5G
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    Fiche technique M4AG
    Fiche technique M4AG

    SP4T, commutateur MEMS RF (ESD amélioré)

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    B.T-Commutateur MEMS RF micromécanique SP4T 16 GHz (ESD Enhanced)Fabricant

    Situé à Ta?wan depuis 1988,Bright Toward Industrial Co., LTD.est un fournisseur et fabricant de relais. Principaux produits, y compris les relais Opto-MOSFET, les relais Opto-SiC MOSFET, les relais statiques, les relais Reed et les commutateurs RF MEMS.

    B.Tfournit des relais aux industries mondiales des semi-conducteurs et de l'automobile depuis plus de trois décennies et entretient des partenariats à long terme avec OKITA Works basé au Japon?; Menlo Microsystems basé en Californie ; JEL Systems basé au Japon et Teledyne Relays and Coax Switches basé en Californie. Desservent principalement les industries des tests de semi-conducteurs, des ATE, des BMS (systèmes de gestion de batterie), des machines industrielles et des véhicules électriques.

    B.Toffre à ses clients des relais Opto-MOSFET et Opto-SiC MOSFET de haute qualité depuis 1988, tous deux dotés d'une technologie de pointe et de 30 ans d'expérience,B.Ts'assure que les demandes de chaque client sont satisfaites.

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