SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V) –B.T- Ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300 V erh?ht, wobei 6600 V in der Entwicklung sind. Die Durchbruchspannung am Eingang/Ausgang kann zwischen 3750 V und 5000 V gew?hlt werden. Diese Opto-SiC-MOSFET-Relais mit hoher Lastspannung sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den 1K-Reinr?umen der Fabrik von Bright Toward hergestellt.B.Tist ein hochwertiger Hersteller von HF-MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Halbleiterrelais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisherstellung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert.

Optisch gekoppelte SiC-MOSFET-Relais laden Spannungen von 1500 V bis 3300 V und mehr.

SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V)

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Bild	name	Kontakt Formular	Lastspannung (V)	Laststrom (A)	Aktion
AA51	1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	1200	0.47	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AA51F	1200 V/470 mA/SMD6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	1200	0.47	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AM51	1200 V/470 mA DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	1200	0.47	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AM51F	1200 V/470 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	1200	0.47	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AA52	1700 V/350 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	1700	0.35	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
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AA53	3300 V/300 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	3300	0.3	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
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AM53	3300 V/300 mA/DIP8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	3300	0.3	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AM53F	3300 V/300 mA/SMD8-6 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	3300	0.3	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AN53	Einzigartiges Paket zur Verbesserung der Kriechstrecke, 3000 V/500 mA, Halbleiterrelais	1 Form A	3000	0.5	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen
AS53F	3300 V/350 mA/SO16 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)	1 Form A	3300	0.35	Einzelheiten Anfrage Zur Liste hinzufügen

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B.T- Ein Hersteller von SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V)

Seit 1988 in Taiwan ans?ssig,Bright Toward Industrial Co., LTD.ist ein Relaislieferant und -hersteller. Hauptprodukte, einschlie?lich Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Halbleiterrelais, Reed-Relais und HF-MEMS-Schalter.

B.Tliefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und unterh?lt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan; Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien; JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays and Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Wir beliefern haupts?chlich die Halbleitertests, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), Industriemaschinen und Elektrofahrzeuge.

B.Tbietet seinen Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, beide mit fortschrittlicher Technologie und 30 Jahren Erfahrung,B.Tstellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.

SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V) –B.T- Ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

service@relay.com.tw

SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V)

Optisch gekoppelte SiC-MOSFET-Relais laden Spannungen von 1500 V bis 3300 V und mehr./ Bright Toward Industrial Co., Ltd ist ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.