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    • Relè MOSFET SiC (da 1500 V a 6600 V) -B.T- Un produttore di relè a stato solido, relè reed e interruttori MEMS.

    Applicando MOSFET in carburo di silicio nei nostri relè ad accoppiamento ottico, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300 V, con 6600 V in fase di sviluppo. La tensione di rottura di ingresso/uscita è disponibile tra 3750 V e 5000 V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle camere bianche di grado 1K della fabbrica di Bright Toward.B.Tè un produttore di interruttori MEMS RF di alta qualità, relè Opto-MOS, relè Opto-MOSFET, relè Reed, relè a stato solido di Taiwan. Con oltre 30 anni di esperienza nella produzione di relè, Bright Toward è specializzata nella produzione di diversi tipi di relè.

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    Relè MOSFET SiC (da 1500 V a 6600 V)

    Tensione di carico dei relè MOSFET SiC accoppiati otticamente da 1500 V a 3300 V e oltre./ Bright Toward Industrial Co., Ltd è un produttore di relè a stato solido, relè reed e interruttori MEMS.

    Tensione di carico dei relè MOSFET SiC accoppiati otticamente da 1500 V a 3300 V e oltre.
    Tensione di carico dei relè MOSFET SiC accoppiati otticamente da 1500 V a 3300 V e oltre.

    Relè MOSFET SiC (da 1500 V a 6600 V)

    Applicando MOSFET in carburo di silicio nei nostri relè ad accoppiamento ottico, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300 V, con 6600 V in fase di sviluppo. La tensione di rottura di ingresso/uscita è disponibile tra 3750 V e 5000 V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle camere bianche di grado 1K della fabbrica di Bright Toward.

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    1200 V/470 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AA51 1200 V/470 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

    1 Form A

    1200

    0.47
    1200 V/470 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) AA51F Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)

    1 Form A

    1200

    0.47
    Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
    1200 V/470 mA DIP8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AM51 1200 V/470 mA DIP8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

    1 Form A

    1200

    0.47
    1200 V/470 mA DIP8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) AM51F Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)

    1 Form A

    1200

    0.47
    Relè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)
    1700 V/350 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AA52 1700 V/350 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

    1 Form A

    1700

    0.35
    1700 V/350 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Relè a stato solido 1700 V/350 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) AA52F Relè a stato solido 1700 V/350 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)

    1 Form A

    1700

    0.35
    Relè a stato solido 1700 V/350 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
    3300 V/300 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AA53 3300 V/300 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

    1 Form A

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    0.3
    3300 V/300 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Relè a stato solido 3300 V/300 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) AA53F Relè a stato solido 3300 V/300 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)

    1 Form A

    3300

    0.3
    Relè a stato solido 3300 V/300 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
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    1 Form A

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    0.3
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    3300 V/300 mA/SMD8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AM53F 3300 V/300 mA/SMD8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

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    3300

    0.3
    3300 V/300 mA/SMD8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Pacchetto unico per migliorare la distanza di dispersione, 3000 V/500 mA, relè a stato solido AN53 Pacchetto unico per migliorare la distanza di dispersione, 3000 V/500 mA, relè a stato solido

    1 Form A

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    0.5
    Pacchetto unico per migliorare la distanza di dispersione, 3000 V/500 mA, relè a stato solido
    3300 V/350 mA/SO16 Relè a stato solido (SiC MOSFET) AS53F 3300 V/350 mA/SO16 Relè a stato solido (SiC MOSFET)

    1 Form A

    3300

    0.35
    3300 V/350 mA/SO16 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
    Risultato 1 - 12 Di 15

    B.T- Un produttore di relè MOSFET SiC (da 1500 V a 6600 V)

    Situato a Taiwan dal 1988,Bright Toward Industrial Co., LTD.è un fornitore e produttore di relè. Prodotti principali, inclusi relè Opto-MOSFET, relè Opto-SiC MOSFET, relè a stato solido, relè Reed e interruttori MEMS RF.

    B.Tfornisce relè alle industrie mondiali dei semiconduttori e automobilistiche da oltre tre decenni e ha collaborazioni a lungo termine con OKITA Works con sede in Giappone; Menlo Microsystems con sede in California; JEL Systems con sede in Giappone e Teledyne Relays and Coax Switches con sede in California. Serve principalmente le industrie di test sui semiconduttori, ATE, BMS (sistemi di gestione della batteria), macchinari industriali e veicoli elettrici.

    B.Toffre ai clienti relè Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET dal 1988, entrambi con tecnologia avanzata e 30 anni di esperienza,B.Tassicura che le richieste di ogni cliente siano soddisfatte.

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