SiC-MOSFET-Relais (1500 V bis 6600 V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300 V erh?ht, wobei 6600 V in der Entwicklung sind. Die Durchbruchspannung am Eingang/Ausgang kann zwischen 3750 V und 5000 V gew?hlt werden. Diese Opto-SiC-MOSFET-Relais mit hoher Lastspannung sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den 1K-Reinr?umen der Fabrik von Bright Toward hergestellt.
Bild | name | Kontakt Formular | Lastspannung (V) | Laststrom (A) | Download | Aktion |
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1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
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1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
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1800 V/30 mA/SO16 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
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