SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V)
申請することで炭化ケイ素當社の光結合リレーに MOSFET を組み込むと、負荷電圧は最大 3300V まで昇圧され、開発中は 6600V になります。入出力絶縁破壊電圧3750Vと5000Vからお選びいただけます。これらの高負荷電圧オプト SiC-MOSFET リレーは、AEC-Q101 認定を受けており、Bright Toward の工場の 1K グレードのクリーン ルームで製造されています。
畫像 | name | 接點構成 | 負荷電圧(V) | 負荷電流(A) | ダウンロード | アクション |
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![]() | 1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700V/350mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700V/350mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300V/350mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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