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  • SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V) -B.T- ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチのメーカー。

    申請することで炭化ケイ素當社の光結合リレーに MOSFET を組み込むと、負荷電圧は最大 3300V まで昇圧され、開発中は 6600V になります。入出力絶縁破壊電圧3750Vと5000Vからお選びいただけます。これらの高負荷電圧オプト SiC-MOSFET リレーは、AEC-Q101 認定を受けており、Bright Toward の工場の 1K グレードのクリーン ルームで製造されています。B.T高品質です高周波MEMSスイッチ、オプトMOSリレー、フォト-mosfet-リレー, リードリレー、臺灣のソリッドステートリレーメーカー。30 年以上のリレー製造経験を持つ Bright Toward は、さまざまな種類のリレーの製造を専門としています。

    service@relay.com.tw

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    SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V)

    光結合 SiC MOSFET は 1500V ~ 3300V 以上の負荷電圧をリレーします。/ Bright Toward Industrial Co., Ltd は、ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMS スイッチのメーカーです。

    光結合 SiC MOSFET は 1500V ~ 3300V 以上の負荷電圧をリレーします。
    光結合 SiC MOSFET は 1500V ~ 3300V 以上の負荷電圧をリレーします。

    SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V)

    申請することで炭化ケイ素當社の光結合リレーに MOSFET を組み込むと、負荷電圧は最大 3300V まで昇圧され、開発中は 6600V になります。入出力絶縁破壊電圧3750Vと5000Vからお選びいただけます。これらの高負荷電圧オプト SiC-MOSFET リレーは、AEC-Q101 認定を受けており、Bright Toward の工場の 1K グレードのクリーン ルームで製造されています。

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    1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) AA51 1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)

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    1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
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    パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー AN53 パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー

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    パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー
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    3300V/350mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
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    B.T- SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V) のメーカー

    1988年から臺灣に拠點を置き、Bright Toward Industrial Co., LTD.はリレーのサプライヤーおよびメーカーです。主な製品としては、フォト-mosfet-リレー、Opto-SiC MOSFET リレー、ソリッドステート リレー、リード リレー、および高周波MEMSスイッチ。

    B.T30年以上にわたって世界の半導體および自動車産業にリレーを供給しており、長期にわたる提攜會社日本に拠點を置くOKITA Worksと連攜。Menlo Microsystems はカリフォルニアに拠點を置いています。JEL Systems は日本に拠點を置き、Teledyne リレーおよび同軸スイッチはカリフォルニアに拠點を置きます。主に半導體検査、ATE、BMS (バッテリー管理システム)、産業機械、電気自動車業界にサービスを提供しています。

    B.Tは 1988 年以來、高度な技術と 30 年の経験を活かして、高品質の Opto-MOSFET および Opto-SiC MOSFET リレーを顧客に提供してきました。B.Tそれぞれの顧客の要求が確実に満たされるようにします。

    国产xxxx99真实实拍