SiC MOSFET リレー (1500V ~ 6600V)
申請することで炭化ケイ素當社の光結合リレーに MOSFET を組み込むと、負荷電圧は最大 3300V まで昇圧され、開発中は 6600V になります。入出力絶縁破壊電圧3750Vと5000Vからお選びいただけます。これらの高負荷電圧オプト SiC-MOSFET リレーは、AEC-Q101 認定を受けており、Bright Toward の工場の 1K グレードのクリーン ルームで製造されています。
畫像 | name | 接點構成 | 負荷電圧(V) | 負荷電流(A) | ダウンロード | アクション |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1800V/30mA ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)、DIP6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
![]() | |
![]() | 1800V/30mA ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)、SMD6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
![]() | |
![]() | 1800V/30mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
![]() |