Relais statique 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F
SO-16, 3300V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ce relais statique IC en carbure de silicium peut charger une tension jusqu'à 3300 V, avec une ligne de fuite > 8 mm. Ce relais est con?u pour les modules de détection d'isolement des systèmes de gestion de batterie où la tension de charge et la ligne de fuite sont des paramètres critiques. Il se compose d'un MOSFET photo SiC couplé optiquement à une LED infrarouge. Il peut résister à la haute tension, à l'environnement volatil, à l'humidité et aux variations de température. Tous les processus de fabrication sont effectués dans des salles blanches de niveau 1k situées dans notre usine avec les certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Relais Opto-SiC MOSFET
- Taille miniature
- MOSFET au carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Grande linéarité performante
- Nécessite un faible courant/tension d'entra?nement
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 3300
Courant de charge (A)
- 0.35
Type d'emballage
- SO-16
Sur Résistance (Ω)
- 3.2
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolement
- Véhicule électrique
- Bornes de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- équipement de test automatique (ATE)
- Contr?le industriel
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