<nav id="auoee"><strong id="auoee"></strong></nav>
  • <nav id="auoee"><strong id="auoee"></strong></nav>
    <xmp id="auoee">
    • <xmp id="auoee">

    • Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)Поставщик | Производитель высококачественных реле и переключателей из Тайваня | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Это твердотельное реле с карбидом кремния IC может нагружать напряжение до 3300 В с длиной пути утечки> 8 мм. Это реле предназначено для модулей обнаружения изоляции систем управления аккумуляторными батареями, где критически важными параметрами являются напряжение нагрузки и длина пути утечки. Он состоит из фото SiC MOSFET, оптически связанного с инфракрасным светодиодом. Он может выдерживать высокое напряжение, нестабильную среду, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k, расположенных на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949. B.Tявляется производителем высококачественных радиочастотных МЭМС-переключателей, реле Opto-MOS, реле Opto-MOSFET, герконовых реле, твердотельных реле из Тайваня. Обладая более чем 30-летним опытом производства реле, Bright Toward специализируется на производстве различных видов реле. с 1988 г.

    service@relay.com.tw

    Свяжитесь с нами

    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)

    SO-16, 3300V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd является производителем твердотельных реле, герконовых реле и МЭМС-переключателей.

    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, 3300 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ Путь утечки > 8 мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    • Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, 3300 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ Путь утечки > 8 мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
    AS53F

    SO-16, 3300V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

    Это твердотельное реле с карбидом кремния IC может нагружать напряжение до 3300 В с длиной пути утечки> 8 мм. Это реле предназначено для модулей обнаружения изоляции систем управления аккумуляторными батареями, где критически важными параметрами являются напряжение нагрузки и длина пути утечки. Он состоит из фото SiC MOSFET, оптически связанного с инфракрасным светодиодом. Он может выдерживать высокое напряжение, нестабильную среду, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k, расположенных на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.

    Добавить в список
    Узнать сейчас
    Функции
    • Реле Opto-SiC MOSFET
    • Миниатюрный размер
    • Карбид кремния МОП-транзистор
    • Долгий срок службы (без механических контактов)
    • Бесшумная работа (без механических контактов)
    • Отличная производительность линейности
    • Требуется низкий ток привода / напряжение
    • Минимальный шум
    • Высокая изоляция
    • Высокая изоляция
    Форма обратной связи
    • 1 Form A
    Напряжение пробоя ввода/вывода
    • 5000
    Тип нагрузки
    • AC
    • DC
    Напряжение нагрузки (В)
    • 3300
    Ток нагрузки (А)
    • 0.35
    Тип упаковки
    • SO-16
    По сопротивлению (Ом)
    • 3.2
    Приложение
    • Система управления батареями (BMS)
    • Модули обнаружения изоляции
    • Электромобиль
    • Зарядные станции
    • Механизм защиты от высокого напряжения
    • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
    • Промышленный контроль
    сопутствующие товары
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA51

    Это миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA51F

    С напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
    AM51

    С напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
    AM51F

    Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA52

    Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA52F

    Твердотельные реле TOWARD RELAYS 1700 В / 350 мА, сопротивление...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA53

    Наши твердотельные реле SiC IC, способные выдерживать...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA53F

    Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
    AM53

    Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
    AM53F

    Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, 3300 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ Путь утечки > 8 мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
    AS53F

    Это твердотельное реле с карбидом кремния IC может...

    Подробности Добавить в список
    Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле - Уникальная упаковка, 3000 В/500 мА SSR RELAY SPST-NO (1 форма A)
    Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле
    AN53

    Это уникально упакованное миниатюрное твердотельное...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5, 1800 В / 30 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
    AA58

    Это миниатюрное твердотельное реле с выходом SiC MOSFET,...

    Подробности Добавить в список
    Скачать
    Технический паспорт серии AS53F
    Технический паспорт серии AS53F

    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)

    Скачать

    B.T-Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)Производитель

    Находится на Тайване с 1988 года.Bright Toward Industrial Co., LTD.является поставщиком и производителем реле. Основная продукция, включая реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, герконовые реле и радиочастотные МЭМС-переключатели.

    B.Tпоставляет реле для полупроводниковой и автомобильной промышленности мира более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с OKITA Works, базирующейся в Японии; Menlo Microsystems, базирующаяся в Калифорнии; JEL Systems, базирующаяся в Японии, и Teledyne Relays and Coax Switches, базирующаяся в Калифорнии. В основном обслуживают тестирование полупроводников, ATE, BMS (системы управления батареями), промышленное оборудование и электромобили.

    B.Tпредлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, используя передовые технологии и 30-летний опыт,B.Tобеспечивает выполнение требований каждого клиента.

    国产xxxx99真实实拍