Relais statique 1?200?V/470?mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51
DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ce relais à semi-conducteurs miniature IC en carbure de silicium fournit jusqu'à 1200 V de tension de charge avec 470 mA de courant de charge et une résistance à l'état passant à 0,6 Ω. Il dispose d'un agencement de contact 1 forme A dans un bo?tier DIP6-5. Avec cette forme de bo?tier, la ligne de fuite est améliorée pour une meilleure isolation. En appliquant du carbure de silicium comme matériau pour les MOSFET, notre relais statique IC peut supporter des tensions élevées tout en fonctionnant dans des environnements difficiles avec des températures fluctuantes.
Caractéristiques
- Relais Opto-SiC MOSFET
- Taille miniature
- Dimensions?: 8,8?* 6,4?* 3,4?mm
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Grande linéarité performante
- Nécessite un faible courant/tension d'entra?nement
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1200
Courant de charge (A)
- 0.47
Type d'emballage
- DIP6-5
Sur Résistance (Ω)
- 0.6
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolement
- Véhicule électrique
- Bornes de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- équipement de test automatique (ATE)
- Contr?le industriel
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