3300V/350mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AS53F
SO-16, 3300V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
これ炭化ケイ素IC ソリッド ステート リレーは、沿面距離 > 8mm で最大 3300V の電圧を負荷できます。このリレーはバッテリー管理システム用に設計されています。絶縁負荷電圧と沿面距離が重要なパラメータである検出モジュール。これは、赤外線 LED に光學的に結合されたフォト SiC MOSFET で構成されています。高電圧、揮発性環境、濕度、溫度変動に耐えることができます。すべての製造プロセスは、ISO9001およびIATF16949認証を取得した工場內にある1kグレードのクリーンルームで行われます。
特徴
- 光SiC MOSFETリレー
- ミニチュアサイズ
- 炭化ケイ素MOSFET
- 長壽命（機械的接點なし）
- サイレント動作（機械的接觸なし）
- 優れた直線性のパフォーマンス
- 要求が低い動作電流/ 電圧
- 騒音の最小化
- 高い絶縁
- 高い絶縁性
接點構成
- 1 Form A
I/O絶縁破壊電圧
- 5000
負荷の種類
- AC
- DC
負荷電圧(V)
- 3300
負荷電流(A)
- 0.35
パッケージタイプ
- SO-16
接觸抵抗(Ω)
- 3.2
応用
- バッテリー管理システム (BMS)
- 絶縁検出モジュール
- 電気自動車
- 充電ステーション
- 高電圧保護機構
- 自動試験裝置 (ATE)
- 産業用制御
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1200V/470mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
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最大 1200V の負荷電圧と 470mA の負荷電流に対応する炭化ケイ素小型 IC ソリッド...
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1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
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1200V/470mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51F
この負荷電圧は 1200V、負荷電流は 470mA、SMD8-6炭化ケイ素IC ソリッド...
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1700V/350mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52
この負荷電圧は最大 1700V、負荷電流は 350mA DIP6-5炭化ケイ素IC ソリッド...
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1700V/350mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
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3300V/300mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53
DIP6-5 で最大 3300V の負荷電圧を伝送可能パッケージ、當社の SiC IC ソリッドステート...
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3300V/300mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53F
今回の負荷電圧3300V、負荷電流300mA SMD6-5炭化ケイ素IC ソリッド ステート...
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3300V/300mA/DIP8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53
小型 DIP8-6 で最大 3300V の負荷電圧を伝送する能力を備えていますパッケージ、...
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3300V/300mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6 で最大 3300V の負荷電圧を伝送可能パッケージ、 私たちの炭化ケイ素IC...
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3300V/350mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AS53F
これ炭化ケイ素IC ソリッド ステート リレーは、沿面距離 > 8mm で最大...
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パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー
AN53
このユニークなパッケージの 3000V/500mA ミニチュア炭化ケイ素IC ソリッド...
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1800V/30mA ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)、DIP6-5
AA58
これは、最大 1800V までの電圧を負荷できる SiC MOSFET 出力の小型ソリッドステート...
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