Relais SiC MOSFET (1500V à 6600V)
En appliquant des MOSFET en carbure de silicium dans nos relais à couplage optique, les tensions de charge sont augmentées jusqu'à 3300 V, avec 6600 V en cours de développement. La tension de claquage d'entrée/sortie est au choix entre 3750V et 5000V. Ces relais Opto SiC-MOSFET à haute tension de charge sont certifiés AEC-Q101, fabriqués dans les salles blanches de grade 1K de l'usine de Bright Toward.
Image | name | Formulaire de contact | Tension de charge (V) | Courant de charge (A) | Télécharger | Action |
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![]() | Relais statique 1?200?V/470?mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relais statique 1?200?V/470?mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relais statique DIP8-6 1200V/470mA (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relais statique 1?200?V/470?mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relais statique 1?700?V/350?mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | Relais statique 1?700?V/350?mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | Relais statique 3300V/300mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relais statique 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relais statique 3300V/300mA/DIP8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relais statique 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Ensemble unique pour améliorer la ligne de fuite, 3?000?V/500?mA, relais à semi-conducteurs | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | Relais statique 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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