<nav id="auoee"><strong id="auoee"></strong></nav>
  • <nav id="auoee"><strong id="auoee"></strong></nav>
    <xmp id="auoee">
    • <xmp id="auoee">

    • Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET) Supplier | High-Quality Relays and Switches Manufacturer from Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

    Миниатюрное твердотельное реле на основе карбида кремния с напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6 предназначено для приложений с высоким напряжением, таких как обнаружение изоляции в системах управления батареями (BMS). Чтобы удовлетворить требования индустрии электромобилей к высокому напряжению и высокой долговечности, мы применили карбид кремния в качестве материала для внутренних полевых МОП-транзисторов в наших миниатюрных реле; это позволяет применять их в суровых условиях. Бесконтактная конструкция также обеспечивает практически неограниченный срок службы. В корпусе DIP8-6 расстояние утечки увеличено для улучшения изоляции. Твердотельное реле AM51 SiC IC спроектировано, изготовлено и испытано на нашем заводе в соответствии с сертификатами ISO9001 и IATF16949. B.T is a high-quality RF MEMS Switch, Opto-MOS Relay ,Opto-MOSFET Relays, Reed Relay, Solid State Relay manufacturer from Taiwan. With more than 30 years relay manufacture experience, Bright Toward is specialised in manufacturing different kinds of relays. since 1988

    service@relay.com.tw

    Свяжитесь с нами

    Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET)

    DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., Ltd is a manufacturer of Solid State Relays, Reed Relays and MEMS Switches.

    Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, твердотельное реле 1200 В/470 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    • Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, твердотельное реле 1200 В/470 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET)
    AM51

    DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

    Миниатюрное твердотельное реле на основе карбида кремния с напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6 предназначено для приложений с высоким напряжением, таких как обнаружение изоляции в системах управления батареями (BMS). Чтобы удовлетворить требования индустрии электромобилей к высокому напряжению и высокой долговечности, мы применили карбид кремния в качестве материала для внутренних полевых МОП-транзисторов в наших миниатюрных реле; это позволяет применять их в суровых условиях. Бесконтактная конструкция также обеспечивает практически неограниченный срок службы. В корпусе DIP8-6 расстояние утечки увеличено для улучшения изоляции. Твердотельное реле AM51 SiC IC спроектировано, изготовлено и испытано на нашем заводе в соответствии с сертификатами ISO9001 и IATF16949.

    Добавить в список
    Узнать сейчас
    Функции
    • Миниатюрный размер
    • Размеры: 9,8* 6,4* 3,4 мм
    • Долгий срок службы (без механических контактов)
    • Бесшумная работа (без механических контактов)
    • Великолепная линейность
    • Требуется низкий ток/напряжение привода
    • Минимальный шум
    • Высокая изоляция
    • Высокая изоляция
    Форма обратной связи
    • 1 Form A
    Напряжение пробоя ввода/вывода
    • 3750
    • 5000
    Тип нагрузки
    • AC
    • DC
    Напряжение нагрузки (В)
    • 1200
    Ток нагрузки (А)
    • 0.47
    Тип упаковки
    • DIP8-6
    О сопротивлении (Ом)
    • 0.6
    Application
    • Система управления батареями (BMS)
    • Модули обнаружения изоляции
    • Электромобиль
    • Зарядные станции
    • Механизм защиты от высокого напряжения
    • Автоматическое испытательное оборудование (АТЕ)
    • Промышленный контроль
    сопутствующие товары
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, твердотельное реле 1200 В/470 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA51

    Это миниатюрное твердотельное реле с микросхемой...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200 В/ 470 мА твердотельное реле SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA51F

    Наше миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, твердотельное реле 1200 В/470 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET)
    AM51

    Миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, твердотельное реле 1200 В/ 470 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
    AM51F

    Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, твердотельное реле 1700 В/350 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA52

    Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700 В/ 350 мА твердотельное реле SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA52F

    Твердотельные реле TOWARD RELAYS на 1700 В/350 мА, сопротивление...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, твердотельное реле 3300 В/300 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
    AA53

    Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300 В/ 300 мА твердотельное реле SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
    AA53F

    Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, твердотельное реле 3300 В/300 мА SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
    AM53

    Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300 В/ 300 мА твердотельное реле SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
    AM53F

    Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, твердотельное реле 3300 В/350 мА. Утечка > 8 мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
    AS53F

    Это твердотельное реле с микросхемой из карбида кремния...

    Подробности Добавить в список
    Уникальный пакет для улучшения пути утечки, твердотельное реле 3000 В/500 мА - Уникальный комплект, твердотельное реле 3000 В/500 мА SPST-NO (1 форма A)
    Уникальный пакет для улучшения пути утечки, твердотельное реле 3000 В/500 мА
    AN53

    Это уникальное миниатюрное твердотельное реле на...

    Подробности Добавить в список
    Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800В/30мА твердотельное реле SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
    Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
    AA58

    Это выходное миниатюрное твердотельное реле SiC MOSFET,...

    Подробности Добавить в список
    Скачать
    Технический паспорт AM51-1200 В/470 мА
    Технический паспорт AM51-1200 В/470 мА

    1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP8-6-9,8 мм*6,4 мм*3,4 мм

    Скачать

    B.T - Твердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET) Manufacturer

    Located in Taiwan since 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. is a relay supplier and manufacturer. Main products, including Opto-MOSFET Relays, Opto-SiC MOSFET Relays, Solid State Relays, Reed Relays, and RF MEMS Switches.

    B.T supplies relays to the world's semiconductor and automotive industries for over three decades and has long term long-term partnerships with OKITA Works based in Japan; Menlo Microsystems based in California; JEL Systems based in Japan and Teledyne Relays and Coax Switches based in California. Mainly serve the Semiconductor Testing, ATE, BMS (Battery Management Systems), industrial machinery and Electric Vehicle industries.

    B.T has been offering customers high-quality Opto-MOSFET and Opto-SiC MOSFET relays since 1988, both with advanced technology and 30 years of experience, B.T ensures each customer's demands are met.

    国产xxxx99真实实拍