Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки до 3300 В в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле с ИС из карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. Благодаря корпусу DIP8-6 это реле имеет выдающиеся характеристики изоляции и напряжения нагрузки. Мы первые, кто использует карбид кремния в качестве материала для наших МОП-транзисторов. Это обеспечивает высокое напряжение нагрузки и исключительную долговечность. Благодаря таким приложениям, как инверторы, уличные зарядные станции и системы управления батареями (BMS) в электромобилях, наши твердотельные реле SiC могут противостоять нестабильной окружающей среде, влажности и колебаниям температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k, расположенных на нашем заводе и имеющих сертификаты ISO9001 и IATF16949.
Функции
- Реле Opto-SiC MOSFET
- Миниатюрный размер
- Размеры: 9,8* 6,4* 3,4 мм
- МОП-транзистор из карбида кремния
- Долгий срок службы (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Великолепная линейность
- Требуется низкий ток/напряжение привода
- Минимальный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Форма обратной связи
- 1 Form A
Напряжение пробоя ввода/вывода
- 3750
- 5000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (В)
- 3300
Ток нагрузки (А)
- 0.3
Тип упаковки
- SMD8-6
О сопротивлении (Ом)
- 3.2
Application
- Система управления батареями (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электромобиль
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (АТЕ)
- Промышленный контроль
- сопутствующие товары
-
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA51
Это миниатюрное твердотельное реле с микросхемой...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA51F
Наше миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1200 В/470 мА DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM51
Миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM51F
Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA52
Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA52F
Твердотельные реле TOWARD RELAYS на 1700 В/350 мА, сопротивление...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA53
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F
Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM53
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F
Это твердотельное реле с микросхемой из карбида кремния...
Подробности Добавить в списокУникальный пакет для улучшения пути утечки, твердотельное реле 3000 В/500 мА
AN53
Это уникальное миниатюрное твердотельное реле на...
Подробности Добавить в списокТвердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это выходное миниатюрное твердотельное реле SiC MOSFET,...
Подробности Добавить в список - Скачать
-
Технический паспорт AM53-3300 В/300 мА
1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP8-6-9,8 мм*6,4 мм*3,4 мм
Скачать