Bright Toward Mengeluarkan Geganti Opto-MOSFET berasaskan SiC 3300V
Bright Toward Industrial Co., Ltd percaya pada Silicon Carbide sebagai masa depan komponen elektronik kuasa. Kami telah mengeluarkan geganti 1700V dan 1800V Opto SiC-MOSFET dan akan mengeluarkan satu lagi barisan geganti 3300V dan 6600V Opto SiC-MOSFET. Geganti Opto-SiC MOSFET kami boleh menyokong pelbagai aplikasi, daripada kenderaan elektrik kepada ujian Hi-pot, penukar, penyongsang, peralatan perubatan, pendorong satelit dan banyak lagi.
?
Bright Toward mengeluarkan geganti SiC MOSFET pertamanya pada tahun 2017. Selepas itu, kami meyakinkan pelanggan automotif kami untuk menggantikan geganti berasaskan Si dengan yang berasaskan SiC. Ramai pelanggan telah mengesahkan produk berasaskan SiC kami dan menggunakannya dalam reka bentuk BMS mereka, termasuk CATL dan Volkswagon.
1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET Relay
AA53F ialah geganti SPST SiC MOS yang biasanya terbuka dengan pakej SMD6-5. AA53F adalah dengan voltan beban 3300V dan arus beban 300mA. AS58F adalah satu dengan pakej SO-16 dan jarak rayapan >8mm.
SiC ialah semikonduktor celah jalur lebar yang boleh menahan beribu-ribu voltan dan suhu tinggi (Lebih daripada 175C). Komponen SiC boleh berfungsi dengan cekap pada frekuensi yang lebih tinggi tanpa kehilangan yang tidak perlu seperti IGBT dan MOSFET berasaskan Si. SiC juga mempunyai rintangan pada keadaan yang kurang pada voltan yang lebih tinggi.
?
Komponen berasaskan SiC adalah trend. Pada masa ini, komponen SiC bersaing untuk sistem powertrain pasaran EV. Komponen SiC berusaha untuk mereka bentuk dalam pengecas onboard EV dan penukar DC-ke-DC. Menggunakan komponen SiC boleh membantu meningkatkan julat kenderaan elektrik sebanyak 5-10% dengan sekali cas. Oleh itu, pengeluar kereta boleh menggunakan bateri yang lebih kecil, ringan dan kos rendah dalam reka bentuk mereka.
?
Selain pasaran EV, Geganti Opto SiC-MOSFET Bright Toward boleh memanfaatkan bekalan kuasa industri dan pusat data, penyongsang suria, infrastruktur tenaga boleh diperbaharui dan pasaran automasi industri. Mengurangkan jejak karbon adalah hala tuju untuk pelbagai industri. Untuk memenuhi permintaan pasaran SiC, Bright Toward merancang untuk melabur lebih banyak untuk meningkatkan kapasiti pengeluaran produk berasaskan SiC kami.
- Muat Turun Fail
- Produk Berkaitan
1200V/470mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51
Relay Keadaan Pepejal Miniatur Silicon Carbide IC ini menyediakan sehingga 1200V voltan beban dengan 470mA arus beban dan pada rintangan pada 0.6Ω. Ia mempunyai...
Details Add to cart
1200V/470mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51F
Dengan sehingga 1200V voltan beban dan 470mA arus beban, Silicon Carbide miniatur IC Solid State Relay kami direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti...
Details Add to cart
1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51
Dengan voltan beban pada 1200V dalam pakej DIP8-6 padat, Silicon Carbide miniatur IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1200V/470mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51F
Voltan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1700V/350mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52
Voltan beban ini sehingga 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan...
Details Add to cart
1700V/350mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52F
TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan penebat...
Details Add to cart
3300V/300mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej DIP6-5, Geganti Keadaan Pepejal IC SiC kami adalah yang paling inovatif dalam industri....
Details Add to cart
3300V/300mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53F
Voltan beban 3300V, arus beban 300mA SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relays adalah unik untuk industri. Kami adalah yang pertama menggunakan Silicon...
Details Add to cart
3300V/300mA/DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej miniatur DIP8-6, Silicon Carbide IC Solid-State Relays kami adalah yang paling inovatif...
Details Add to cart
3300V/300mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53F
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej SMD8-6, Silicon Carbide IC Solid-State Relays kami adalah yang paling inovatif dalam...
Details Add to cart
Pakej unik untuk meningkatkan jarak rayapan, 3000V/500mA, Geganti Keadaan Pepejal
AN53
Relay Keadaan Pepejal IC Silicon Carbide 3000V/500mA yang dibungkus secara unik ini meningkatkan dengan ketara jarak rayapan untuk Peralatan Ujian Automatik...
Details Add to cart
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SIC MOSFET), DIP6-5
AA58
Ini ialah geganti keadaan pepejal keluaran SiC MOSFET yang memuatkan voltan sehingga 1800V. Silicon Carbide digunakan sebagai bahan untuk MOSFET di dalam...
Details Add to cart