1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Anbieter | Hersteller hochwertiger Relais und Schalter aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dieses Siliziumkarbid-IC-Miniatur-Halbleiterrelais bietet eine Lastspannung von bis zu 1200 V mit einem Laststrom von 470 mA und einem Einschaltwiderstand von 0,6 Ω. Es verfügt über eine 1-Form-A-Kontaktanordnung in einem DIP6-5-Geh?use. Bei dieser Geh?useform wird die Kriechstrecke für eine bessere Isolierung verbessert. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid als Material für MOSFETs kann unser IC-Halbleiterrelais hohen Spannungen standhalten und gleichzeitig in rauen Umgebungen mit schwankenden Temperaturen betrieben werden. B.Tist ein hochwertiger Hersteller von HF-MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Halbleiterrelais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisherstellung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. seit 1988

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1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd ist ein Hersteller von Halbleiterrelais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
  • 1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200 V/470 mA SSR-Relais SPST-NO (1 Form A), SiC-MOSFET
1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA51

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Dieses Siliziumkarbid-IC-Miniatur-Halbleiterrelais bietet eine Lastspannung von bis zu 1200 V mit einem Laststrom von 470 mA und einem Einschaltwiderstand von 0,6 Ω. Es verfügt über eine 1-Form-A-Kontaktanordnung in einem DIP6-5-Geh?use. Bei dieser Geh?useform wird die Kriechstrecke für eine bessere Isolierung verbessert. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid als Material für MOSFETs kann unser IC-Halbleiterrelais hohen Spannungen standhalten und gleichzeitig in rauen Umgebungen mit schwankenden Temperaturen betrieben werden.

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Merkmale
  • Opto-SiC MOSFET-Relais
  • Miniaturgr??e
  • Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
  • Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
  • Stiller Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
  • Hervorragende Linearit?t
  • Erfordert einen niedrigen Antriebsstrom/eine niedrige Antriebsspannung
  • Minimierter L?rm
  • Hohe Isolierung
  • Hohe Isolation
Kontakt Formular
  • 1 Form A
E/A-Durchbruchspannung
  • 3750
  • 5000
Art der Ladung
  • AC
  • DC
Lastspannung (V)
  • 1200
Laststrom (A)
  • 0.47
Pakettyp
  • DIP6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 0.6
Anwendung
  • Batteriemanagementsystem (BMS)
  • Isolationserkennungsmodule
  • Elektrisches Fahrzeug
  • Ladestationen
  • Hochspannungsschutzmechanismus
  • Automatische Testausrüstung (ATE)
  • Industrielle Steuerung
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AA51 Datenblatt – 1200 V/470 mA
AA51 Datenblatt – 1200 V/470 mA

1 Form A, SiC-MOSFET, DIP6-5-Geh?use – 8,8 mm x 6,4 mm x 3,4 mm

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B.T-1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ans?ssig,Bright Toward Industrial Co., LTD.ist ein Relaislieferant und -hersteller. Hauptprodukte, einschlie?lich Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Halbleiterrelais, Reed-Relais und HF-MEMS-Schalter.

B.Tliefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und unterh?lt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan; Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien; JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays and Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Wir beliefern haupts?chlich die Halbleitertests, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), Industriemaschinen und Elektrofahrzeuge.

B.Tbietet seinen Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, beide mit fortschrittlicher Technologie und 30 Jahren Erfahrung,B.Tstellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.

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