1200V/470mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA51F
SMD6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
最大 1200V の負荷電圧と 470mA の負荷電流に対応する炭化ケイ素小型 IC ソリッド ステート リレーは、次のような高電圧アプリケーション向けに設計されています。絶縁での検出バッテリー管理システム(BMS)。電気自動車業界の高電圧および高耐久性の要件を満たすために、炭化ケイ素當社のミニチュアリレーの內部 MOSFET の材料として。これにより、過酷な環境でのアプリケーションが可能になります。すべての製造工程は自社工場の1kグレードのクリーンルームで行われます。
特徴
- 光SiC MOSFETリレー
- ミニチュアサイズ
- 寸法: 8.8*6.4*3.4 ミリメートル
- 長壽命（機械的接點なし）
- サイレント動作（機械的接觸なし）
- 優れた直線性のパフォーマンス
- 要求が低い動作電流/ 電圧
- 騒音の最小化
- 高い絶縁
- 高い絶縁性
接點構成
- 1 Form A
I/O絶縁破壊電圧
- 3750
- 5000
負荷の種類
- AC
- DC
負荷電圧(V)
- 1200
負荷電流(A)
- 0.47
パッケージタイプ
- SMD6-5
接觸抵抗(Ω)
- 0.6
応用
- バッテリー管理システム (BMS)
- 絶縁検出モジュール
- 電気自動車
- 充電ステーション
- 高電圧保護機構
- 自動試験裝置 (ATE)
- 産業用制御
- 関連製品
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1200V/470mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA51F
最大 1200V の負荷電圧と 470mA の負荷電流に対応する炭化ケイ素小型 IC ソリッド...
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1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM51
コンパクトなDIP8-6で負荷電圧1200Vを実現パッケージ、炭化ケイ素小型...
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1200V/470mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51F
この負荷電圧は 1200V、負荷電流は 470mA、SMD8-6炭化ケイ素IC ソリッド...
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1700V/350mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52
この負荷電圧は最大 1700V、負荷電流は 350mA DIP6-5炭化ケイ素IC ソリッド...
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1700V/350mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52F
リレー向け 1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5炭化ケイ素IC ソリッド ステート...
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3300V/300mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53
DIP6-5 で最大 3300V の負荷電圧を伝送可能パッケージ、當社の SiC IC ソリッドステート...
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3300V/300mA/SMD6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53F
今回の負荷電圧3300V、負荷電流300mA SMD6-5炭化ケイ素IC ソリッド ステート...
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3300V/300mA/DIP8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53
小型 DIP8-6 で最大 3300V の負荷電圧を伝送する能力を備えていますパッケージ、...
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3300V/300mA/SMD8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6 で最大 3300V の負荷電圧を伝送可能パッケージ、 私たちの炭化ケイ素IC...
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3300V/350mA/SO16ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AS53F
これ炭化ケイ素IC ソリッド ステート リレーは、沿面距離 > 8mm で最大...
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パッケージ沿面距離を改善する獨自の、3000V/500mA、ソリッドステートリレー
AN53
このユニークなパッケージの 3000V/500mA ミニチュア炭化ケイ素IC ソリッド...
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1800V/30mA ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)、DIP6-5
AA58
これは、最大 1800V までの電圧を負荷できる SiC MOSFET 出力の小型ソリッドステート...
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