Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
С напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6 миниатюрное твердотельное реле с ИС на основе карбида кремния предназначено для высоковольтных приложений, таких как обнаружение изоляции в системах управления батареями (BMS). Чтобы удовлетворить требования индустрии электромобилей к высокому напряжению и долговечности, мы применили карбид кремния в качестве материала для внутренних полевых МОП-транзисторов в наших миниатюрных реле; это позволяет применять его в суровых условиях. Бесконтактная конструкция также обеспечивает практически неограниченный срок службы. В корпусе DIP8-6 путь утечки увеличен для улучшения изоляции. Твердотельное реле AM51 SiC IC разработано, изготовлено и испытано на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.
Функции
- Миниатюрный размер
- Размеры: 9,8*6,4*3,4 мм
- Долгий срок службы (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная производительность линейности
- Требуется низкий ток привода / напряжение
- Минимальный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Форма обратной связи
- 1 Form A
Напряжение пробоя ввода/вывода
- 3750
- 5000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (В)
- 1200
Ток нагрузки (А)
- 0.47
Тип упаковки
- DIP8-6
По сопротивлению (Ом)
- 0.6
Приложение
- Система управления батареями (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электромобиль
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
- Промышленный контроль
- сопутствующие товары
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA51
Это миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA51F
С напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
AM51
С напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM51F
Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA52
Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA52F
Твердотельные реле TOWARD RELAYS 1700 В / 350 мА, сопротивление...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA53
Наши твердотельные реле SiC IC, способные выдерживать...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F
Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM53
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F
Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F
Это твердотельное реле с карбидом кремния IC может...
Подробности Добавить в список
Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле
AN53
Это уникально упакованное миниатюрное твердотельное...
Подробности Добавить в список
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это миниатюрное твердотельное реле с выходом SiC MOSFET,...
Подробности Добавить в список- Скачать
Спецификация AM51-1200 В/470 мА
1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP8-6-9,8 мм * 6,4 мм * 3,4 мм
Скачать