Реле SiC MOSFET (от 1500 В до 6600 В)
Благодаря применению МОП-транзисторов из карбида кремния в наших оптически связанных реле напряжение нагрузки повышается до 3300 В, а напряжение 6600 В находится в стадии разработки. Напряжение пробоя входа/выхода может составлять 3750 В и 5000 В. Эти опто-SiC-MOSFET-реле с высоким напряжением нагрузки сертифицированы AEC-Q101 и производятся в чистых помещениях фабрики Bright Toward класса 1K.
Изображение | name | Форма обратной связи | Напряжение нагрузки (В) | Ток нагрузки (А) | Скачать | Действие |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
![]() |
|
![]() |
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
![]() |
|
![]() |
Твердотельное реле 1800 В/30 мА/SO16 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
![]() |