1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Dengan voltan beban pada 1200V dalam pakej DIP8-6 padat, Silicon Carbide miniatur IC Solid State Relay direka untuk aplikasi voltan tinggi seperti pengesanan penebat dalam Sistem Pengurusan Bateri (BMS). Untuk memenuhi keperluan voltan tinggi dan ketahanan tinggi Industri Kenderaan Elektrik, kami menggunakan Silicon Carbide sebagai bahan untuk MOSFET dalaman dalam geganti kecil kami; ini membolehkan aplikasi dalam persekitaran yang keras. Reka bentuk tanpa sentuh juga membolehkan jangka hayat operasi yang hampir tidak terhad. Dengan pakej DIP8-6, jarak rayapan dipertingkatkan untuk meningkatkan penebat. AM51 SiC IC Solid State Relay direka, dikilangkan dan diuji di kilang kami dengan pensijilan ISO9001 dan IATF16949.
ciri-ciri
- Saiz Miniatur
- Dimensi: 9.8* 6.4* 3.4 mm
- Long Life (tanpa sentuhan mekanikal)
- Operasi Senyap (tanpa sesentuh mekanikal)
- Lineariti Berprestasi Hebat
- Memerlukan Arus/ Voltan pemacu rendah
- Bunyi yang diminimumkan
- Penebat tinggi
- Pengasingan tinggi
Borang hubungan
- 1 Form A
Voltan Pecah I/O
- 3750
- 5000
Jenis Beban
- AC
- DC
Voltan Beban (V)
- 1200
Muatkan Arus (A)
- 0.47
Jenis Pakej
- DIP8-6
Pada Rintangan (Ω)
- 0.6
Permohonan
- Sistem Pengurusan Bateri (BMS)
- Modul Pengesanan Penebat
- Kenderaan Elektrik
- Stesen Pengecasan
- Mekanisme Perlindungan Voltan Tinggi
- Peralatan Ujian Automatik (ATE)
- Kawalan Perindustrian
- Produk Berkaitan
-
1200V/470mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51
Relay Keadaan Pepejal Miniatur Silicon Carbide IC ini menyediakan sehingga 1200V voltan beban...
Details Add to List
1200V/470mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51F
Dengan sehingga 1200V voltan beban dan 470mA arus beban, Silicon Carbide miniatur IC Solid...
Details Add to List
1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51
Dengan voltan beban pada 1200V dalam pakej DIP8-6 padat, Silicon Carbide miniatur IC Solid...
Details Add to List
1200V/470mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51F
Voltan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay...
Details Add to List
1700V/350mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52
Voltan beban ini sehingga 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State...
Details Add to List
1700V/350mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52F
TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay...
Details Add to List
3300V/300mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej DIP6-5, Geganti Keadaan...
Details Add to List
3300V/300mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53F
Voltan beban 3300V, arus beban 300mA SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relays adalah unik...
Details Add to List
3300V/300mA/DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej miniatur DIP8-6, Silicon...
Details Add to List
3300V/300mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53F
Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej SMD8-6, Silicon Carbide...
Details Add to List
Geganti Keadaan Pepejal 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F
Silicon Carbide IC Solid State Relay ini boleh memuatkan voltan sehingga 3300V, dengan jarak...
Details Add to List
Pakej unik untuk meningkatkan jarak rayapan, 3000V/500mA, Geganti Keadaan Pepejal
AN53
Relay Keadaan Pepejal IC Silicon Carbide 3000V/500mA yang dibungkus secara unik ini meningkatkan...
Details Add to List
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SIC MOSFET), DIP6-5
AA58
Ini ialah geganti keadaan pepejal keluaran SiC MOSFET yang memuatkan voltan sehingga 1800V....
Details Add to List - Muat turun
-
