1800 V/30 mA Halbleiterrelais (SiC MOSFET), SMD6-5
AA58F
SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Dieses SMD6-5 (6,4 mm x 8,8 mm) SiC-MOSFET-Miniatur-Halbleiterrelais mit Ausgang kann eine Spannung von bis zu 1800 V laden und einen Strom von 30 mA führen. Als Material für den MOSFET im Relais wird Siliziumkarbid verwendet. Dies erm?glicht eine hohe Lastspannung bei hervorragender Leistung und Haltbarkeit. Es h?lt volatilen Umgebungen, Feuchtigkeit und schwankenden Temperaturen stand. Alle Herstellungsprozesse werden in Reinr?umen der Klasse 1K in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen durchgeführt.
Merkmale
- Opto-SiC MOSFET-Relais
- Miniaturgr??e
- Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
- Siliziumkarbid-MOSFET
- Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
- Stiller Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearit?t
- Erfordert einen niedrigen Antriebsstrom/eine niedrige Antriebsspannung
- Minimierter L?rm
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontakt Formular
- 1 Form A
E/A-Durchbruchspannung
- 5000
Art der Ladung
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 1800
Laststrom (A)
- 0.03
Pakettyp
- SMD6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
- 100
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationserkennungsmodule
- Elektrisches Fahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatische Testausrüstung (ATE)
- Industrielle Steuerung
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1200 V/470 mA/DIP6-5 Halbleiterrelais (SiC MOSFET)
AA51
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AA53
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AA53F
Diese SMD6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais mit einer Lastspannung von 3300 V und einem...
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AM53
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Geh?use zu übertragen,...
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AM53F
Mit der F?higkeit, bis zu 3300 V Lastspannung in einem SMD8-6-Geh?use zu übertragen, sind...
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Dieses Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais kann eine Spannung von bis zu 3300 V mit einer Kriechstrecke...
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AA58
Dies ist ein SiC-MOSFET-Ausgangsminiatur-Halbleiterrelais, das eine Spannung von bis zu 1800...
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AA58 Datenblatt – 1800 V/30 mA
1 Form A, SiC-MOSFET, DIP6-5-Geh?use – 8,8 mm x 6,4 mm x 3,4 mm
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