DC~18GHz、SP*T高周波スイッチモジュールサプライヤー | 臺灣の高品質リレーおよびスイッチメーカー | Bright Toward Industrial Co., LTD.

カスタマイズ可能な多極多投です高周波DC~18GHzの周波數範囲を持つMEMSスイッチモジュール。これ高周波MEMS スイッチ モジュールは、SP6T、SP8T、SP12T でカスタマイズ可能な接點構成により、30 億回のスイッチング動作で優れた信頼性を備えています。カスタマイズされた仕様に応じて、絶縁性能は 6GHz で 70dB に達します。これ高周波MEMSスイッチモジュールは、同軸スイッチなどの置き換えに最適です。高周波信頼性が低く、サイズが大きく、コストが高いEMリレー。 B.T高品質です高周波MEMSスイッチ、オプトMOSリレー、フォト-mosfet-リレー, リードリレー、臺灣のソリッドステートリレーメーカー。30 年以上のリレー製造経験を持つ Bright Toward は、さまざまな種類のリレーの製造を専門としています。1988年以來

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DC~18GHz、SP*T高周波スイッチモジュール

DC~18GHz、SP6T、SP8T、SP16T高周波MEMSスイッチモジュール/ Bright Toward Industrial Co., Ltd は、ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMS スイッチのメーカーです。

DC~18GHz、SP*T高周波スイッチモジュール - DC~18GHz、SP6T、SP8T、SP16T高周波MEMSスイッチモジュール
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DC~18GHz、SP*T高周波スイッチモジュール
MIXO

カスタマイズ可能な多極多投です高周波DC~18GHzの周波數範囲を持つMEMSスイッチモジュール。これ高周波MEMS スイッチ モジュールは、SP6T、SP8T、SP12T でカスタマイズ可能な接點構成により、30 億回のスイッチング動作で優れた信頼性を備えています。カスタマイズされた仕様に応じて、絶縁性能は 6GHz で 70dB に達します。これ高周波MEMSスイッチモジュールは、同軸スイッチなどの置き換えに最適です。高周波信頼性が低く、サイズが大きく、コストが高いEMリレー。

特徴
  • DC~18GHz
  • SP6T、SP8T、SP12T
  • MEMSスイッチIC
  • 小さいサイズ
  • 低挿入損失 0.5dB ~ 1dB @ 6GHz
  • 高い直線性、IP3 > 95 dBm
  • 高アイソレーション、60dB ~ 70dB アイソレーション @ 6 GHz
  • 30億回のスイッチング操作
接點構成
  • SP6T, SP8T, SP12T
周波數
  • 18 GHz
接點定格取り扱い
  • 25W (CW) 150W (Pulsed)
負荷電圧(V)
  • 150
負荷電流(A)
  • 0.5
接觸抵抗(Ω)
  • 3
挿入損失
  • 0.5dB ~ 1dB @ 6GHz
リターンロス
  • 10 dB ~ 20dB @ 6GHz
隔離
  • 60dB ~ 70dB @ 6GHz
ESD保護
  • 200V
応用
  • 同軸スイッチの交換
  • 高周波EMリレーの交換
  • 低損失スイッチマトリクス
  • PXIシステム
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B.T-DC~18GHz、SP*T高周波スイッチモジュールメーカー

1988年から臺灣に拠點を置き、Bright Toward Industrial Co., LTD.はリレーのサプライヤーおよびメーカーです。主な製品としては、フォト-mosfet-リレー、Opto-SiC MOSFET リレー、ソリッドステート リレー、リード リレー、および高周波MEMSスイッチ。

B.T30年以上にわたって世界の半導體および自動車産業にリレーを供給しており、長期にわたる提攜會社日本に拠點を置くOKITA Worksと連攜。Menlo Microsystems はカリフォルニアに拠點を置いています。JEL Systems は日本に拠點を置き、Teledyne リレーおよび同軸スイッチはカリフォルニアに拠點を置きます。主に半導體検査、ATE、BMS (バッテリー管理システム)、産業機械、電気自動車業界にサービスを提供しています。

B.Tは 1988 年以來、高度な技術と 30 年の経験を活かして、高品質の Opto-MOSFET および Opto-SiC MOSFET リレーを顧客に提供してきました。B.Tそれぞれの顧客の要求が確実に満たされるようにします。

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