650V/800mA 光耦合繼電器,DIP8-6
AM38
此光耦合繼電器，耐電壓達650伏，耐電流800毫安培，為A接點(1 Form A)常開半導體式小型光耦合繼電器。使用DIP8-6的封裝形式。 ? 內部由LED...
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650V/800mA 光耦合繼電器,SMD8-6
AM38F
此繼電器可負載電壓650伏，耐電流800毫安培。產品在無機械接點設計下運用LED驅動MOSFET進行開關，正常負載下可不斷開關至LED光衰，因此使用壽命可延長至數十年之久。另外，SMD8-6的封裝形式，使爬電距離增加，增強絕緣表面積，產品耐用性也有著明顯的提升。 ? 結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度等特點，此繼電器應用于半導體測試設備、電力調整器、電源供應器、工業控制等產業，其中大量用于電池管理系統(Battery...
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1500V/45mA 光耦合繼電器,DIP-6-5
AA40-5
此半導體式小型光耦合繼電器采DIP6-5的封裝形式以增加爬電距離，增大絕緣表面積，以強化耐用性。可負載高達1500伏的電壓。內部由LED...
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1500V/45mA 光耦合繼電器,SMD6-5
AA40F-5
耐電壓高達1500伏，耐電流達45毫安培，采SMD-5封裝的光耦合繼電器。此封裝形式使爬電距增加，增大絕緣表面積，以強化耐用性。結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度、開關速度快(小于0.02秒)、且擁有超長壽命的特點，適用于電源和電池管理系統(BMS)...
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60V/2.5A 光耦合繼電器,DIP-4
AB42
此產品采用4.7mm*4.6mm DIP-4封裝形式，耐電流可達2.5安培，耐電壓60伏，為單刀單擲(SPST)，A接點常開半導體式小型光耦合繼電器。此繼電器采無接點設計，內部使用LED驅動MOSFET進行開關，可以一直動作直到LED光衰，壽命在正常使用下長達數十年之久，這樣的設計成功解決了接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。 ? 42系列擁有高耐流的特性，經過UL認證，拓緯晶片型的繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有ISO9001...
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60V/2A 光耦合繼電器,SMD-8
AC42F
此繼電器耐電流達2安培，耐電壓達60伏，為雙通道單刀單擲(SPST*2)，兩個A接點組成的的常開型光耦合繼電器。使用表面積為9.8mm*6.4mm...
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