1500V/45mA 光耦合繼電器,DIP-6-5
AA40-5
DIP6-5, 1500V, 45mA, Opto-MOS Relay
此半導體式小型光耦合繼電器采DIP6-5的封裝形式以增加爬電距離，增大絕緣表面積，以強化耐用性。可負載高達1500伏的電壓。內部由LED 驅動MOSFET 進行開關，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定等問題。
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結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度等特點，此繼電器適用于半導體測試、ATE、電池管理系統、充電樁高壓絕緣檢測等應用。
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拓緯晶片型的繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有ISO9001 與IATF16949認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質、交期、客制化需求皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓(V)
- 1500
耐電流(A)
- 0.045
封裝形式
- SMD6-5
導通電組(Ω)
- 180
產品應用
- 電池管里系統(BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機(ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
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1500V/45mA 光耦合繼電器,DIP-6-5
AA40-5
此半導體式小型光耦合繼電器采DIP6-5的封裝形式以增加爬電距離，增大絕緣表面積，以強化耐用性。可負載高達1500伏的電壓。內部由LED...
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1500V/45mA 光耦合繼電器,SMD6-5
AA40F-5
耐電壓高達1500伏，耐電流達45毫安培，采SMD-5封裝的光耦合繼電器。此封裝形式使爬電距增加，增大絕緣表面積，以強化耐用性。結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度、開關速度快(小于0.02秒)、且擁有超長壽命的特點，適用于電源和電池管理系統(BMS)...
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