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圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓(V) | 耐電流(A) | 文件下載 | 設定 |
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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3300V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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采特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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