80V/80mA 光耦合繼電器,DIP-6
AA46
此DIP-6 光耦合繼電器可以承受80V的電壓同時負載80mA的電流，擁3pF低輸出電容值，有效降低電阻電容時間常數。 ? 光耦合繼電器內部使用MOSFET開關并由LED驅動。無接點的設計方式能使繼電器壽命大幅度增加，無接點的特性更讓開關速度相比傳統機械式繼電器快許多。AA46系列開關速度小于0.05ms，輸入輸出絕緣耐壓最高可至5000V。結合良好壽命表現、低電容值、快速開關動作、良好線性度、微型封裝等特色，AB46...
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80V/80mA 光耦合繼電器,DIP-8
AC46
此光耦合小型繼電器可以承受80V的電壓，耐電流80mA，擁3pF輸出電容值，有效降低電阻電容時間常數。 ? 光耦合繼電器采內部由MOSFET晶片進行開關，并使用LED驅動的無接點設計。這樣的設計讓此產品能有超長壽命，在開關動作時更是無聲，開關速度相較磁簧繼電器與機械式繼電器來說快速許多(小于0.05ms)結合良好壽命表現、低電容值、快速開關動作、良好線性度、微型封裝等特色，大量用于自動量測設備、二極體測試機內電阻測試線路、儲能設備電池管理系統(Battery...
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80V/80mA 光耦合繼電器,SMD-4
AB46F
此光耦合繼電器可以承受80V的電壓同時負載80mA的電流，擁3pF超低輸出電容值，能有效降低電阻電容時間常數。 ? 繼電器內部使用MOSFET...
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80V/80mA 光耦合繼電器,SMD-6
AA46F
此SMD-6 光耦合繼電器可以承受80V的電壓并同時負載80mA的電流，擁3pF輸出電容值，能有效降低電阻電容時間常數。 ? 產品內部使用MOSFET開關并由LED驅動。無接點的設計讓此產品的壽命大幅增加。擁5000V的絕緣耐壓，開關速度小于0.05ms。結合良好壽命表現、低電容值、快速開關動作、良好線性度、微型封裝等特色，大量用于自動量測設備、二極體測試機內電阻測試線路、儲能設備電池管理系統(Battery...
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80V/80mA 光耦合繼電器,SMD-8
AC46F
此SMD-8 光耦合繼電器可以承受80V的電壓并同時負載80mA的電流，擁3pF超低輸出電容值，能有效降低電阻電容時間常數，采用SPST常開(1...
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80V/80mA 光耦合繼電器,SOP-4
AB46S
此光耦合繼電器可以承受80V電壓同時負載80mA的電流，擁3pF超低輸出電容值，能有效降低電阻電容時間常數。 ? 此產品內部使用MOSFET晶片進行開關并由LED驅動。晶片式的光耦合繼電器避免了傳統機系式繼電器接點碳化造成的壽命表現不佳與電性不穩等問題。開關時間也在0.05ms...
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80V/80mA 光耦合繼電器,SOP-8
AC46S
此雙通道常開(2 Form A) 光耦合繼電器能承受60V的電壓并負載80mA的電流，擁3pF超低輸出電容值，能有效降低電阻電容時間常數。繼電器內部使用MOSFET進行開關并由LED驅動。這樣的無接點設計能大幅延長繼電器壽命表現。SOP-8的封裝形式增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。 ? 結合良好壽命表現、低電容值、快速開關動作、良好線性度、微型封裝等特色，大量用于自動量測設備、二極體測試機內電阻測試線路、儲能設備電池管理系統(Battery...
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80V/1A 光耦合繼電器,DIP-8
AC47
此繼電器耐電流達1安培，耐電壓達80伏，采DIP-8封裝形式。 ? 光耦合繼電器設計原理無機械接點，內部使用LED驅動MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。 ? 此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有ISO9001...
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80V/1.5A 光耦合繼電器,SMD-6
AA47F
此產品采SMD-6封裝形式，耐電壓達80伏，耐電流達1.5安培，為可負載高電流同時擁低導通電阻的半導體式小型光耦合繼電器。 ? 光耦合繼電器內部設計原理使用LED驅動MOSFET進行開關，避免了機械接點，在正常附載下給予繼電器數十年的壽命直到LED光衰，完全解決了傳統機械式繼電器因接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。 ? 此產經UL認證，由拓緯于新竹廠1k無塵室生產，工廠經ISO...
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