400V/120mA 光耦合繼電器,泄漏電流< 1nA
AB30-pA, AA30-pA, AC30-pA, AB30F-pA, AA30F-pA, AC30F-pA, AB30S-pA, AC30S-pA
此光耦合繼電器耐電流達120豪安培,耐電壓400伏,泄漏電流< 1nA。全系列從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有ISO9001...
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AA31
使用DIP-6的封裝形式,可負載電壓達350伏,電流達130毫安培,輸入輸出絕緣耐壓可達5000Vrms,為A接點(1...
細節 添加到列表350V/110mA 光耦合繼電器,DIP-8
AC31
此繼電器耐電壓350伏,耐電流110豪安培,為兩個A接點(2 Form A)雙通道組成的常開型半導體式小型光耦合繼電器。 ? 采DIP-8腳的封裝形式,爬電距離明顯的提升,增長絕緣材料表面距離,提供良好的耐電壓與電性表現。 ? 光耦合繼電器無接點設計避免了傳統機械式繼電器與磁簧繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定的情況,正常使用下給予繼電器無限制的壽命。 ? AC31由拓緯獲ISO9001...
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AB31F
這是一顆單刀單擲,A接點常開型(1 Form A)半導體式小型光耦合繼電器,耐電壓350伏,耐電流130毫安培,采表面積為4.3mm*4.4mm...
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AC31F
此繼電器耐電壓為350伏,耐電流為110毫安培,為擁有兩個A接點(2 Form A) 雙通道常開型光耦合繼電器。透過雙層封裝制程讓AC31F...
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AB31S
此產品耐電壓達350伏,耐電流達120毫安培,采表面積為4.3mm*4.4mm 的SOP-4腳封裝,為單刀單擲(SPST),A接點(1...
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AB34
采DIP-4封裝,可負載200伏電壓,200毫安培電流,為輸入輸出絕緣耐壓可達5000Vrms的光耦合繼電器。光耦合繼電器內部原理使用LED驅動MOSFET進行開關,壽命在正常使用下可長達數十年之久,成功避免傳統機械式繼電器與磁簧繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定等情況。拓緯晶片型繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、封裝、測試皆在拓緯新竹廠內完成,工廠擁ISO9001和IATF...
細節 添加到列表200V/200mA 光耦合繼電器,DIP-6
AA34
這是一顆A接點(1 Form A) 常開型光耦合繼電器,耐電壓為200伏,耐電流200毫安培,使用DIP-6封裝。產品采無接點的設計,以LED驅動MOSFET進行開關,既可避免開關動作時發出噪音,更可以延長繼電器的壽命(正常使用下長達數十年之久)。此產品由拓緯新竹工廠在1k無塵室生產及測試,工廠持有ISO9001及IATF16949認證。
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