40 Gbps, DPDT 高速微機電開關
MM5600
這是一顆DPDT (2 Form C) 的高速(40Gbps) 微機電開關(MEMS Switch) 。內建驅動線路，是特別為Differential Signal 需求所設計的RF Switch。
MM5600專為高速訊號設計, 結合了奇異電子(General Electric) 的材料學與康寧玻璃( Corning) 的玻璃穿孔技術(TGV)，此微機電開關有30億回的壽命，并可以在高溫環境下熱切換。
產品特性
- 40Gbps
- DPDT
- 微機電制成
- 超小體積
- 高絕緣24dB Isolation @ 10 GHz
- 30億回壽命
- ESD 靜電防護700V
接點形式
- DPDT (MEMS Switch)
頻率
- 20 GHz
- 40Gbps
耐電壓(V)
- 150
耐電流(A)
- 0.1
導通電組(Ω)
- 3
插入損耗
- 1.3dB@ 10GHz
反射損耗
- 11dB@ 10GHz
隔離度
- 24dB
靜電防護
- 700V
高速微機電開關32Gbps 表現
下圖是高速微機電開關2 Form C (MM5600) 在32Gbps 下的眼圖表現
高速微機電開關40Gbps表現
下圖是高速微機電開關2 Form C (MM5600) 在40Gbps 下的眼圖表現
高速微機電開關32Gbps 表現(not de-embedded)
圖為高速微機電開關在32Gbps 上版后的眼圖表現(RF connectors and RF traces are not de-embedded)
高速微機電開關在85°C 環境溫度下切換一千萬次的接觸阻抗表現
下列圖表為高速微機電開關MM5600 在85°C 環境溫度下切換一千萬次的接觸阻抗表現
高速微機電開關在25°C 環境溫度下切換一千萬次的接觸阻抗表現
下列圖表為高速微機電開關在25°C 環境溫度下切換一千萬次的接觸阻抗表現
高速微機電開關相位雜訊表現
相位雜訊表現: -140dBc@1 MHz offset; <20fs jitter/ 量測儀器: R&S Signal Analyzer with Phase Noise Option
高速微機電開關測試版: 高速雙DPDT + Loopback 線路
此線路使用兩顆高速微機電開關, 兜成差分線路+Loop Back, 此線路能測40 Gbps 的訊號, 為符合PCIe 5.0 的需求
產品應用
- 半導體測試介面版
- PEIe 晶片測試
- USB/SSD/DDR/GPU/CPU/NICs/Memory Chips 測試
- 5G基地臺
- 陣列天線
- 高頻消費性產品
- Switched Filter Banks and Tunable Filters
- High Power RF Front Ends
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