200V/200mA 光耦合繼電器,SMD-4
AB34F
SMD-4, 200V/ 200mA, Opto-MOS Relay
這是一顆使用SMD-4 的封裝形式，耐電壓200伏，耐電流200毫安培的半導體式小型光耦合繼電器，供5000Vrms 的絕緣耐壓。
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光耦合繼電器以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出相對于一般電氣耦合的繼電器具有更好的隔離度與抗干擾。因內部使用LED 驅動MOSFET 進行開關，無接點的設計讓拓緯光耦合繼電器成功克服傳統機械式繼電器與磁簧繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定等問題。
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AB34F 由拓緯新竹廠在1K無塵室中制造。并從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、封裝、測試皆在拓緯新竹廠內完成。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 6.4mm*4.7mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓(V)
- 200
耐電流(A)
- 0.2
封裝形式
- SMD-4
導通電組(Ω)
- 4.2
同規格料號
此系列光耦合繼電器產品擁有與下列品牌料號同等規格
- Toshiba: TLP220D
產品應用
- 電池管里系統(BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機(ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
- 關聯產品
200V/200mA 光耦合繼電器,DIP-4
AB34
采DIP-4封裝，可負載200伏電壓，200毫安培電流，為輸入輸出絕緣耐壓可達5000Vrms的光耦合繼電器。光耦合繼電器內部原理使用LED驅動MOSFET進行開關，壽命在正常使用下可長達數十年之久，成功避免傳統機械式繼電器與磁簧繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定等情況。拓緯晶片型繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、封裝、測試皆在拓緯新竹廠內完成，工廠擁ISO9001和IATF...
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200V/200mA 光耦合繼電器,DIP-6
AA34
這是一顆A接點(1 Form A) 常開型光耦合繼電器，耐電壓為200伏，耐電流200毫安培，使用DIP-6封裝。產品采無接點的設計，以LED驅動MOSFET進行開關，既可避免開關動作時發出噪音，更可以延長繼電器的壽命(正常使用下長達數十年之久)。此產品由拓緯新竹工廠在1k無塵室生產及測試，工廠持有ISO9001及IATF16949認證。
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200V/180mA 光耦合繼電器,SOP-4
AB34S
這是一顆A接點(1 Form A)常開型光耦合繼電器，耐電壓達180伏，耐電流達200毫安培并采用表面積為4.4mm*4.4mm的SOP-4封裝形式。提供出色的絕緣性能，并采無接點設計，內部使用LED驅動MOSFET進行開關，可不斷做開關動作至LED光衰，壽命在正常使用下可長達數十年之久，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩的問題。適用于高速測試訊號傳輸、量測設備、工業控制等應用。產品均由拓緯新竹廠設計和制造，工廠擁ISO9001和IATF16949認證。
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200V/160mA 光耦合繼電器,SOP-8
AC34S
此光耦合繼電器采雙通道常開(2 Form A)接點形式，耐電壓達200伏，耐電流達160毫安培。使用SOP-8的封裝形式以增加爬電距離，增強絕緣表面積，并提高產品耐用性。拓緯的光耦合繼電器可確保高達5000Vrms的輸入輸出絕緣耐壓。另外，因內部原理使用LED驅動MOSFET...
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