光耦合繼電器與固態繼電器的差別在哪里?
與機械式以及磁簧繼電器不同,光耦合繼電器與固態繼電器使用LED驅動晶片并采無接點設計。拓緯的光耦合繼電器指使用光驅動MOSFET 的小型繼電器,通常封在SOP/DIP/SMD的小型封裝內,表面積最小至4.3mm*4.3mm,在碳化矽晶片的研發成功后,耐電壓提升至6600V。拓緯的固態繼電器(Solid State Relay) 則是指內加入散熱片的半導體式繼電器可以耐高電流至125安培,同時也有加入Triac 元件的小型高電流固態繼電器可以耐電流至16安培等選擇。在美國與歐洲等市場,Solid State Relay 也泛指小型光耦合繼電器。
?
如有其他規格需求,請至『產品介紹』內『光耦合繼電器』依您的需求點選規格,或聯絡我們。
下列為拓緯最受市場歡迎的光耦合繼電器型號與基本規格
- 26 Series 40V/3.5A
- 28 Series 40V/4.5A
- 45 Series 60V/200mA
- 37 Series 60V/550mA
- 47 Series 80V/1.5A
- 30 Series 400V/120mA
- 38 Series 600V/80mA
- 40 Series 1500V/45mA
- 58 Series 1800V/30mA
- 關聯產品
-
40V/3.5A 光耦合繼電器,SMD-6
AA26F
這是一顆可負載3.5安培電流,40伏電壓,采SMD封裝形式的光耦合繼電器。內部接點形式為單刀單擲(SPST),A接點常開(1...
細節 添加到列表40V/4.5A 光耦合繼電器,SMD-6
AA28F
此繼電器可負載4.5安培電流,40伏電壓。采表面積為8.8mm*6.4mm 的SMD-6封裝形式,為單刀單擲(SPST)...
細節 添加到列表60V/200mA 光耦合繼電器,SOP-4
AB45S
此繼電器的耐電壓60V,耐電流200mA,為SPST (1 Form A) 常開半導體式光耦合繼電器。內部使用LED驅動MOSFET進行開關,無機械接點的設計給予繼電器數十年的壽命直到LED光衰,避免了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電信不穩定等問題。光耦合繼電器無接點的設計除了大幅增強壽命表現外,更以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞,輸入與輸出相對于一般電氣耦合的繼電器具有更好的隔離度與抗干擾。 ? AB45S光耦合繼電器還具備小體積、高絕緣、高速開關時間(小于0.05ms...
細節 添加到列表400V/100mA 光耦合繼電器,SOP-4
AB30S
這是一顆采用SOP-4腳封裝形式,表面積為4.4mm*4.4mm,可負載400伏電壓,100毫安培電流的半導體式小型光耦合繼電器。 ? 有別于機械式繼電器,此小型繼電器內部設計原理使用LED...
細節 添加到列表600V/80mA 光耦合繼電器,SMD-4
AB38F
此產品可負載電壓600伏,電流80毫安培,為一個A接點常開(1 Form A)組成的半導體式小型光耦合繼電器。提供極佳的絕緣性、線性度、開關速度快(Typ...
細節 添加到列表1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SMD6-5
AA58F
這是一顆半導體式小型光耦合繼電器。可負載高達3300伏電壓,耐電流330毫安培,采8.8mm*6.4mm...
細節 添加到列表