1700 V/350 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AA52
DIP6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Questa tensione di carico fino a 1700 V, corrente di carico a 350 mA DIP6-5 Relè a stato solido CI in carburo di silicio è progettata per applicazioni ad alta tensione come il rilevamento dell'isolamento nei sistemi di gestione della batteria (BMS). Incorporando un MOSFET in carburo di silicio e un LED come driver, può garantire una durata quasi illimitata pur resistendo ad alte tensioni in ambienti volatili. Con un pacchetto SMD6-5, la distanza di dispersione è migliorata per migliorare l'isolamento. Il relè a stato solido AM51F SiC IC è progettato, prodotto e testato nella nostra fabbrica con le certificazioni ISO9001 e IATF16949.
Caratteristiche
- Relè MOSFET Opto-SiC
- Dimensione in miniatura
- Dimensioni: 8,8 x 6,4 x 3,4 mm
- MOSFET in Carburo di Silicio
- Long Life (senza contatti meccanici)
- Operazioni silenziose (senza contatti meccanici)
- Grande linearità performante
- Richiede corrente/tensione di azionamento bassa
- Rumore ridotto al minimo
- Elevato isolamento
- Elevato isolamento
Modulo di Contatto
- 1 Form A
Tensione di rottura I/O
- 3750
- 5000
Tipo di carico
- AC
- DC
Tensione di carico (V)
- 1700
Corrente di carico (A)
- 0.35
tipo di pacchetto
- DIP6-5
Sulla resistenza (Ω)
- 2.2
Applicazione
- Sistema di gestione della batteria (BMS)
- Moduli di rilevamento dell'isolamento
- Veicolo elettrico
- Stazioni di ricarica
- Meccanismo di protezione ad alta tensione
- Attrezzatura di prova automatica (ATE)
- Controllo industriale
- prodotti correlati
1200 V/470 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AA51
Questo relè a stato solido miniaturizzato CI in carburo di silicio fornisce fino a 1200 V di tensione...
Dettagli Aggiungi alla listaRelè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA51F
Con un massimo di 1200 V di tensione di carico e 470 mA di corrente di carico, il nostro relè...
Dettagli Aggiungi alla lista1200 V/470 mA DIP8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AM51
Con una tensione di carico di 1200 V in un contenitore compatto DIP8-6, il relè a stato solido...
Dettagli Aggiungi alla listaRelè a stato solido 1200 V/470 mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)
AM51F
Questa tensione di carico a 1200 V, corrente di carico a 470 mA, relè a stato solido IC al carburo...
Dettagli Aggiungi alla lista1700 V/350 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AA52
Questa tensione di carico fino a 1700 V, corrente di carico a 350 mA DIP6-5 Relè a stato solido...
Dettagli Aggiungi alla listaRelè a stato solido 1700 V/350 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA52F
TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Relè a stato solido...
Dettagli Aggiungi alla lista3300 V/300 mA/DIP6-5 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AA53
Con la capacità di trasportare fino a 3300 V di tensione di carico in un contenitore DIP6-5,...
Dettagli Aggiungi alla listaRelè a stato solido 3300 V/300 mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA53F
Questa tensione di carico 3300 V, corrente di carico 300 mA SMD6-5 Relè a stato solido IC in carburo...
Dettagli Aggiungi alla lista3300 V/300 mA/DIP8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AM53
Con la capacità di trasportare fino a 3300 V di tensione di carico in un contenitore DIP8-6...
Dettagli Aggiungi alla lista3300 V/300 mA/SMD8-6 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AM53F
Con la capacità di trasportare fino a 3300 V di tensione di carico in un contenitore SMD8-6,...
Dettagli Aggiungi alla lista3300 V/350 mA/SO16 Relè a stato solido (SiC MOSFET)
AS53F
Questo relè a stato solido CI in carburo di silicio può caricare tensioni fino a 3300 V, con distanza...
Dettagli Aggiungi alla listaPacchetto unico per migliorare la distanza di dispersione, 3000 V/500 mA, relè a stato solido
AN53
Questo relè a stato solido IC in carburo di silicio miniaturizzato da 3000 V/500 mA, in confezione...
Dettagli Aggiungi alla listaRelè a stato solido 1800 V/30 mA (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Si tratta di un relè a stato solido miniaturizzato con uscita MOSFET SiC che carica tensione...
Dettagli Aggiungi alla lista- Scarica
Scheda tecnica AA52-1700V/350mA
1 Modulo A, MOSFET SiC, pacchetto DIP6-5-8,8 mm*6,4 mm*3,4 mm
Scaricamento