拓緯推出的RF MEMS Switch 結合了美商GE奇異電子的材料學與康寧玻璃的玻璃通孔技術，跳脫傳統繼電器設計架構，革命性的提升了特性與規格。
射頻微機電開關
RF MEMS Switch
拓緯致力於高階繼電器研發，2016和美商奇異電子(General Electric)與康寧玻璃(Corning)共同成立的公司Menlo Micro合作推出高頻微機電開關 RF MEMS Swtch 從四通道的MM5130, MM5800到六通道的MM1200、MM3100、MM3130，以及拓緯為了符合客戶控制以及防靜電需求推出的M4AG (SP4T) & M2CG (DPDT)等產品，頻率可承受DC to 60 GHz以上，並逐步推出符合市場需求的高乘載功率高頻開關。
結合了General Electric累積超過一個世紀的飛機引擎材料經驗與康寧玻璃的玻璃穿孔技術(Through-Glass Via；TGV)，此系列產品可承受大功率、高溫與熱切換，高頻在 Hot Switching 的情況下壽命仍高達30億回以上。
RF MEMS Switch 系列產品的特性優勢，除了各個通道能承受25W(脈衝功率到150 W)的功率外，插入損耗在6GHz時也仍有0.2 dBm的水準，線性度規格IP3 > 95 dBm， 斷態電容(Coff)極微小，來到15 fF，能有效降低電阻電容時間常數。
在規格與特性具有上述優勢的同時，封裝尺寸也做到 2.5 mm * 2.5 mm 的超小表面積。隨著5G世代來臨，客戶對測試介面板之線路品質及線路訊號的要求也加倍嚴格，拓緯 RF MEMS Switch 能大幅提升半導體測試介面板與RF測試設備應用之能力。其極具競爭力的特性與規格更讓各個應用市場躍躍欲試。各大IC design house及半導體測試廠都已驗證並導入此系列產品，拓緯也能提供許多控制方式的提案建議和經驗分享。
| 圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓 (V) | 耐電流 (A) | 文件下載 | 設定 |
|---|---|---|---|---|---|---|
MM5140
| DC to 6 GHz, SP4T 射頻微機電開關 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MM5120
| DC to 18 GHz, SP4T 射頻微機電開關 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
| |
MD05-90
| 5V to 90V 升壓IC模組 |
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M4AG
| DC to 16 GHz, SP4T 射頻微機電開關 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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M2CG
| DC to 10 GHz, DPDT 射頻微機電開關 | DPDT (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
| |
MM5600
| 40 Gbps, DPDT 高速微機電開關 | DPDT (MEMS Switch) | 150 | 0.1 |
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MM5620
| 64 Gbps, Dual DP3T高速微機電開關 | 差分傳輸, 雙DP3T(*更多資訊請看下方圖表) |
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MM5130
| DC to 26 GHz, SP4T 射頻微機電開關 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
| |
MIXO
| DC to 18GHz, SP*T 射頻開關模組 | SP6T, SP8T, SP12T | 150 | 0.5 |
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MM3100
| DC to 3 GHz, SPST*6 微機電開關 | SPST*6 (MEMS Switch) | 150 | 3 |
| |
MM1200
| 微機電開關 SPST*6 單通道:150V/1A | SPST*6 (MEMS Switch) | 150 | 3 |
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